5全控器件2(MOSFET与IGBT).pptVIP

课题十五:典型全控器件 MOSFET和IGBT;一、电力场效应晶体管;电力MOSFET的种类 ?按导电沟道可分为P沟道和N沟道。 耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 增强型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道。 ?电力MOSFET主要是N沟道增强型。;电力MOSFET的结构;小功率MOS管是横向导电器件。 电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）。 这里主要以VDMOS器件为例进行讨论。 ;是单极型晶体管（只有一种载流子参与导电）。 ?优点——用栅极电压来控制漏极电流 驱动电路简单，需要的驱动功率小。 开关速度快，工作频率高（最高）。 热稳定性优于GTR。 ?缺点——电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 。;电力场效应晶体管; 截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。 P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。 导电：在栅源极间加正电压UGS 当UGS大于UT时，P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电 。;?(1) 静态特性 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。 ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs。; 截止区（对应于GTR的截止区） 饱和区（对应于GTR的放大区） 非饱和区（对应GTR的饱和区） 工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。 漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。 通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。; 不存在少子储存效应，关断过程非常迅速。 开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。 场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。 开关频率越高，所需要的驱动功率越大。;3. 电力MOSFET的主要参数 ;二、绝缘栅双极晶体管;1. IGBT的结构和工作原理 三端器件：栅极G、集电极C和发射极E; 简化等效电路表明，IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结构，一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。 RN为晶体管基区???的调制电阻。;? 驱动原理与电力MOSFET基本相同，场控器件，通断由栅射极电压uGE决定。 导通：uGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。 通态压降：电导调制效应使电阻RN减小，使通态压降减小。 关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。;a;3. IGBT的主要参数;IGBT的特性和参数特点可以总结如下：; IGBT往往与反并联的快速二极管封装在一起，制成模块，成为逆导器件 。;IGBT;;;IPM（三菱PS21267）;IGBT的应用;IGBT的应用