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第七章 磁性物理与性能;;磁学基础;1、磁矩;;;2、磁偶极子;3、磁化强度;磁学基本量;3、磁场强度;磁性的微观解释;材料的磁化;;材料的磁化;材料的磁化;物质的三种磁性;三种磁性物质的磁化特点是 抗磁性物质：磁化率为负值，约为-10-7~ -10-7 ，表明抗磁性一般很微弱 。;;;一般含有奇数个电子的原子或分子，电子未填满壳层的原子或离子，如过渡元素、稀土元素、锕系元素，还有铝铂等金属，都属于顺磁物质。;;反铁磁性;铁磁性;;Weiss分子场理论;一、分子场理论对自发磁化的唯象解释 TTc时，铁磁性转变为顺磁性，热骚动能破坏了分子场对原子磁矩有序取向的作用。;在外场作用下，由Langevine顺磁理论：;;M0与Ms的区别： a、饱和磁化强度M0：原子磁矩在H作用下趋于H方向，即使再增加H，磁化强度不再增加，此时M趋近于M0。 b、自发磁化强度Ms：把饱和磁化强度外推到H=0时的磁化强度的值。;;磁晶各向异性;; 序言：在磁性物质中，自发磁化主要来源于自旋间的交换作用，这种交换作用本质上是各向同性的，如果没有附加的相互作用存在，在晶体中，自发磁化强度可以指向任意方向而不改变体系的内能。实际上在磁性材料中，自发磁化强度总是处于一个或几个特定方向，该方向称为易轴。当施加外场时，磁化强度才能从易轴方向转出，此现象称为磁晶各向异性。;磁晶各向异性能：; 铁磁性物质的形状在磁化过程中发生形变的现象，叫磁致伸缩。由磁致伸缩导致的形变?l / l 一般比较小，其范围在10-5?10-6之间。虽然磁致伸缩引起的形变比较小，但它在控制磁畴结构和技术磁化过程中，仍是一个很重要的因素。;磁致伸缩;磁畴形成的根本原因 F ＝ Fex（交换作用能）+ Fk（磁晶各向异性能） + Fσ（应力能）+ FH（外磁场能） + Fd（退磁能） + F + …… 根据热力学平衡原理，产生磁畴也就是Ms平衡分布要满足总自由能必定极小的条件。 若无H与 σ 作用时，Ms应分布在由Fd、Fex、Fk三者所决定的总自由能极小的方向，但由于铁磁体有一定的几何尺寸，Ms的一致均匀分布必将导致表面磁极的出现而产生Hd，从而使总能量增大，不再处于能量极小的状态。因此必须降低Fd。故只有改变其Ms矢量分布方向，从而形成多磁畴。因此Fd最小要求是形成磁畴的根本原因。 ; 但是形成磁畴后,将引起Fex与Fk的增加（即畴壁能）。 因此，磁畴数目的多少及尺寸的大小完全取决于Fd与畴壁能的平衡条件。;■只有Fd是形成多畴结构的根本原因 决定磁畴结构的因素 除Fd外 1、磁各向异性 实际铁磁体中磁矩方向不能任意选取。（综合考虑Fex、Fk ） 2、磁致伸缩，即考虑 Fσ 。;磁畴壁的分类;磁畴壁的分类;磁畴壁的分类;Neel 壁;磁畴结构;磁畴结构;磁畴结构;磁畴结构;磁滞现象 (magnetic hysteresis) ; 随着磁场强度的变化，铁磁体的磁状态沿着一闭合曲线变化，此闭合曲线就称为磁滞回线。 ; 特点：?r 大，易磁化、易退磁(起始磁化率大)，饱和磁感应强度大，矫顽力(Hc)小，磁滞回线的面积窄而长，损耗小(HdB面积小)。; 3.作存储记忆元件的矩磁材料: ? ?三氧化二铁或二氧化铬粉层、坡莫合金薄膜和锂锰铁氧体等。 ; 5.磁屏蔽;磁化曲线与磁滞回线;磁化曲线与磁滞回线;1947年前后，发现不能用铁磁性的结构模型及相关理论来解释的具有高电阻率的铁氧体——亚铁磁性 具有尖晶石结构，其分子式为：MO﹒Fe2O3, 其中 M 代表某???二价金属，例如：Zn, Cd, Fe,Ni,Co,Mn等。以Fe3O4为例，它具有铁磁性磁化率高的特征，但其分子磁矩只有4?B 而不是预期的14?B 。除此之外，在居里温度以上，磁化率倒数随温度的变化也不同于铁磁性，具有沿温度轴方向凹下的双曲线形式，此双曲线从高温起的渐近线同温度轴相交于负的绝对温度值。;从微观磁结构上看，亚铁磁性类似于反铁磁性；从宏观磁性上看，亚铁磁性又类似于铁磁性，表现为： ① ?0,并且?的数值较大； ② ?是H和T的函数并与磁化历史有关； ③存在着临界温度—居里温度（TC），当T＜ TC时为亚铁磁性；当T＞ TC时为顺磁性。;奈尔亚铁磁性“分子场”理论