.半导体器件物理课后习题(施敏).ppt

22. 在室温下，一 n型GaAs/p-型Al0.3Ga0.7As异质结，ΔEc=0.21 eV。在热平衡时，两边杂质浓度都为5×1015cm-3，找出其总耗尽层宽度。（提示：AlxGa1-xAs 的禁带宽度为Eg(x)=1.424＋1.247x eV，且介电常数为12.4－3.12x。对于 0x0.4的AlxGa1-xAs，假设其 NC 和 NV不随x变化。） qVbi p121 异质结两侧耗尽区宽度： 第五章双极型晶体管及相关器件 1.一n-p-n 晶体管其基区输运效率为0.998， 发射效率为0.997， 为10 nA。 （a）算出晶体管的 和 ，（b） 若 ，发射极电流为多少？ 注意： 看清题目为 n-p-n 晶体管 2.一理想“NPN”晶体管其发射效率为0.999，集基极漏电流为10μA，假设IB=0，请算出形成的放大模式发射极电流。 方法1： 当Ib=0时,Ie=Ic=Icn+Icp 理想晶体管：Icn≈Ien 则 Ie≈Ien+Icp 而 γ=Ien/Ie=Ien/(Ien+Icp)=0.999 Icp=10μA 则 Ien=9990μA ， Ie=Ien+Icp=104μA 方法2： 理想晶体管αo=γαT≈γ=0.999 βo= αo/(1-αo）=999 Ib=0,则 ICBO=10×10-6A ICEO=(1+ βo) ICBO=10mA 5.（c） 请讨论如何改善发射效率以及基区输运系数 解： 根据 措施： 1）发射极重掺杂NENB 2）减小基区宽度W 3）基区调制掺杂 因为： 1）提高发射极发射效率 2）基区宽度WLp，减少复合，少子顺利渡越 3）利用有内建电场的缓变掺杂基区，依靠掺杂浓 度梯度（基区靠近发射极端高掺杂浓度高，靠近 集电极端掺杂浓度低）产生的内建电场促进载流 子往集电极的渡越。 6. 参考式（14）的少数载流子浓度，画出在不同W/Lp下，pn(x)/pn(0)对x的曲线。 W/Lp1时,对（14)式求极限，令W/Lp趋无穷，少子浓度分布呈e指数衰减； W/Lp1时,对（14)式求极限，令W/Lp趋零，少子浓度分布呈线性 25. 一Si1-xGex /Si HBT，其基区中x = 10 % （发射区和集电区中x =0），基极区域的禁带宽度比硅禁带宽度小9.8%。若基极电流只源于发射效率，请问当温度由0升到100°C，共射电流增益会有何变化？ 同学们认为T不同时，式（14）中ΔEg不变。错误！ 实际上：不同温度下, Eg不同，则ΔEg也不同 26．有一AlxGa1-xAs/Si HBT，其中AlxGa1-xAs的禁带宽度为x的函数，可表示为1.424 + 1.247x eV（当X≤0.45），1.9 + 0.125x + 0.143x2eV（当0.45≤X ≤ 1）。请以x为变数画出 的依赖关系。 作图时应标示清楚纵轴是对数，还是线性坐标，否则曲线走势不同 第六章 MOSFET及相关器件 2. 试画出VG = 0时，p型衬底的n+多晶硅栅极MOS二极管的能带图。 查图6-8，可知p型衬底的n+多晶硅Φms 0，独立金属与独立半导体间夹一氧化物的能带图 热平衡下的费米能级统一，为调节功函数差，半导体能带向下弯曲，MOS二极管的能带图 栅上EF与EC相平 3. 试画出p型衬底于平带条件下，n+多晶硅栅极MOS二极管的能带图。 在平带的状态下，在一定的栅压Vg下，半导体中能带保持水平，此为平带条件（flat-band condition），此时费米能级不统一 。 查图6-8，可知p型衬底的n+多晶硅Φms 0，此时应加一定的负栅压，可达到平带条件。 8. 一理想Si-SiO2 MOS的d = 10nm, NA = 5×1016cm-3,试找出使界面强反型所需的外加偏压以及在界面处的电场强度。 半导体一侧电场利用耗尽近似 由高斯定律,SiO2一侧电场为 而 Qsc = - qNAWm = -1.6 × 10-19 × 5 × 1016 × 1.45× 10-5 = -1.16 × 10-7 C/cm2 所以 得半导体一侧电场 = 1.14V 10.假设氧化层中的氧化层陷阱电荷Qot为薄电荷层，且其在x = 5 nm处的面密度为5×1011cm-2，氧化层的厚度为10 nm。试计算因Qot所导致的平带电压变化。 利用公式 得 13. 假设VD (VG-VT)，试推导式（34）与式（35）。 将 在VD=0处展开，得 （取前两项） 将该式代入原式： 是关于VD的函数，利用泰勒展开式： 利用 VD(VG-VT)