.半导体物理第三章.ppt

§3.5 一般情况下的载流子统计分布 净空间电荷密度是半导体中任一点附近单位体积中的净电荷数。 净空间电荷密度 热平衡状态时 因此得 当存在若干中施主和受主杂质时，电中性条件为： 意义：半导体中单位体积的正电荷等于单位体积的负电荷。 由于 代入式 得： 利用此式可解出 ，从而确定导带中的电子浓度，价带中的空穴浓度以及杂质能级上的电子的统计分布。 下面讨论含少量受主杂质的n型半导体情况： (1) 在温度很低时，施主杂质电离很弱。 因 ，得到 此式的意义：施主能级上的电子，一部分用于填充受主能级，一部分被激发到导带中去，还有一部分留在施主能级上。 再用 乘各项，得 其中 设有 则可得 解得 极低温时， ，则得 在极低温时，但满足 条件，得 (2) 当温度升高后，施主电离程度增加，导带中电子数增多，如果受主杂质很少，可忽略。 (3) 当温度升高到满足 的条件时，施主杂质全部电离，得 如果 与 数值相近，或温度升高使两种杂质浓度之差与该温度时的 相近时，则本征激发不可忽略。 电中性条件为 解得电子浓度为 空穴浓度为 3.6 简并半导体 n型半导体处于饱和区时，费米能级为 当 以及 时，费米能级进入了导带。这说明n型杂质的掺杂水平很高，也说明导带底附近的量子态基本上已被电子所占据。 1. 简并半导体的载流子浓度 令 则 其中 称为费米积分。 同样可得简并半导体的空穴浓度： 2. 简并化条件 非简并 弱简并 简 并 以只含一种施主杂质的n型半导体为例，讨论杂质浓度多少时发生简并。 电中性条件为 取 为简并化条件，则 上式得到的结论：三点 简并半导体的概念： 3. 简并时杂质没有充分电离 简并时施主杂质没完全电离，当 时 4. 杂质带导电 杂质带的形成： 杂质带导电的概念：杂质能带中的杂质电子，可以通过杂质原子之间的共有化运动导电现象。 复 习 1. 如何理解GaAs器件的工作温度比Si高？为什么说在高温下半导体器件无法工作？ 2. 试解释n型半导体中的电中性条件 ，此处 是否等于 ，为什么？ 3. 若n型Si中掺入受主杂质， 升高还是降低？若温度升高，当本征激发起主要作用时， 在什么位置？为什么？ 4. 在两种杂质同时存在情况下，例如n型半导体掺入少量受主杂质，此时 ，当温度趋于0K时， 与 的相对位置怎样变化。 5. 说出下列符号的物理意义。 6. 图4-1中表示p型半导体中载流子浓度与温度的关系，请分别解释“1”区，“2”区，“3”区是什么区，“1” 区和“3”区的斜率表示什么？ 7. 指出下图中各表示什么半导体？ 8. 设含有一定硼的p型非简并半导体，室温下测出空穴浓度 ，掺入铝的浓度为 ，其电离能 ，试求硅材料中硼浓度值。 9. 证明强简并条件下确定费米能级位置的表达式为 * * * 服从Fermi分布的电子系统 简并系统 相应的半导体 简并半导体 服从Boltzmann分布的电子系统 非简并系统 相应的半导体 非简并半导体 本征载流子的产生： 3.导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度 导带