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单晶硅衬底材料线切割生产工艺技术的分析研究 刘玉岭邢进 (河北工业大学微电子研究所，天津300130) 摘要：在本文中，对超大规模集成电路硅衬底材料加工中的线切割工艺技术及其技术效果，产品表面状态的检测进 行了分析研究．而且，我们把线切割工艺技术与内径切割这种传统的硅片加工工艺技术进行了比较．从比较中可以 看出线切割技术在很多方面都要优于内径切割技术． 引言 由于线切割工艺技术(简称线切割技术)能够从作为半导体材料的大直径单晶硅棒加工出非常 薄的硅片。因此，其在半导体工业的硅片加工生产工艺中越来越受到重视。其优势包括：可以切割 出切口损失小而且很薄的硅片，同时产量和生产效率也都很高。中世纪的时候人们就懂得了用线切 割的方法切割～些比较硬的东西，象动物骨骼和各种石头。然而，与传统的方法相比，如今我们在 电子和光电领域要根据硅片厚度和质量来进行线切割，其技术要复杂得多。 从线切割技术近几年的发展情况来看，其在半导体／光电(Pv)器件制造二【：业的硅片加工中也 是刚刚崭露头角，还缺少理论的指导且人们对其还缺乏认识，而且没有一个固定的模式来进行模拟 设计和控制。虽然如此，在如今所采用的单晶硅切割技术中，线切割技术在切割效果和生产效率等 方面相比内径切割都显示了其巨大的优势和潜力。随着现代工业的发展，对硅片加工工艺的精确度 与生产效率提出了更高的要求，因此，急需我们进一步去了解线切割这种靠研磨液来进行切割的加 工工艺并不断地完善它。 我们线切割技术进行长期研究的最主要的目标就是通过与传统的内径切割技术进行比较，从而 对现有的线切割技术进行不断的发展和完善。这样比较的目的是为了突出线切割相比于其他切割技 术的优越性，使人们逐渐地了解到对线切割技术进行研究的重要。 线切割技术的工艺过程： u 图一是线切割技术工艺过程的示意图，图中示意了一根单线(直径175m)怎样从一个线轮到 另一个线轮缠绕的情况。在中间部分，切割线从称为“载线器”的一种储线设备入口一侧通过，然 后穿过一个可更换的导线轮缠绕在呈直角排列的固定轴上。切割线均匀缠绕在有几百个线槽的导线 轮上。这样就形成了一张由许多平行线组成的切割线网，通过这张网然后再配以研磨液就可以对单 晶硅棒进行切割加工了。 um之间。 可作为冷却液。切割线的材料一般则使用钢线，直径在150～300 现在的线切割设备可以在从四个方向同时加工四根硅棒。这样相比于内径切割，线切割技术火 大提高了生产量。由于切割线很细，因此使用线切割所造成的切削损耗很小。此外，线切割非常适 用于未来的大直径硅片加工，因为，线切割的加工能力对硅棒直径要求的限制不是很明显，而仅取 决于切割线网及整个传导系统中导线轴的间距。 图一线切割．_l：艺过程及切割线构造示意幽 03 图二SiC颗粒的SEM显微结构 线切割技术和内径切割技术之间的比较 表一对比总结了线切割技术于内径切割技术之间一些主要的不同点。 表1 线切割技术和内径切割技术一些具体特性的比较 特性 线锯 内径刀锯 切割方法 搭接 摩擦 典型切割表面特征 线痕迹 碎片，坏根和破边 损伤深度 均衡10至15i．tm 变化20至30um 生产效率 300至2000平方英时／4,时200至400平方英时／，J、耐 每次操作可切