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双层氮化硅薄膜对晶硅太阳电池性能的影响 1 2 1 1 1 1 1 1 1 贾河顺 ，王明利 ，任现坤 ，张黎明 ，刘 鹏 ，姜言森 ，程 亮 ，徐振华 ，李 刚 ， 张春艳 1 (1. 山东力诺太阳能电力股份有限公司，济南 250103 ；2.燕山大学理学院，秦皇岛 066004) 摘 要：利用管式 PECVD 在晶硅太阳电池上制备 3 种不同结构的 SiNx:H 减反射膜：第一子层（靠近基底硅）折 射率大于第二子层的双层减反射膜、第一子层折射率小于第二子层的双层减反射膜、单层减反射膜。通过光学和电 学性能的比较可以看出，第一种类型太阳电池的短路电流、开路电压和电池效率的分布区间均相对集中，其短路电 流和开路电压均高于其他样品。该结果主要归结于该类型双层 SiNx:H 减反射膜不但光学匹配性好，而且对太阳电 池的表面及体钝化效果最优。 关键词：太阳电池；PECVD ；氮化硅；减反射膜；钝化；光学匹配 中图分类号：TM914.4+ 文献标识码：A the Si substrate, layer 2 is the sub-layer far from the Si substrate 0 引 言 另外，由于一般的板式 PECVD plasma 数量较 早在 1996 年，Kyocera 公司用 SiN :H 做为太阳 少且沉积腔体只有一个，不适宜用于双层甚至多层 x SiN :H 减反射膜的沉积。所以本实验利用管式 电池的减反射膜，使多晶硅太阳电池的效率达到了 x [1] PECVD 来制作双层 SiN :H 减反射膜，其工艺相对 17.1% 。现在，用离子增强化学气相沉积 （PECVD ） x 制备 SiN :H 已经成为传统太阳电池的标准工艺之 简单，较适宜于量产。 x 一，主要有三点作用：作为减反射膜降低太阳电池 本文讨论了两种形式的双层膜对太阳电池的影 响：n n 和 n n ，并和单层减反射膜太阳电池作 表面的反射率；表面钝化，降低表面复合速率 1 2 1 2 （SRV ）；体钝化，降低体复合速度[2~4] 。在实际的 比较。从实验结果来看，具有n1n2 双层膜的太阳电 应用中，为了提高减反射效果，往往会损失钝化效 池更有利于效率分档的集中和效率的提高。 果:如果 SiN :H 的折射率更高些 (例如 2.2~2.3 之间) x 1 实 验 的 SiNx :H 薄膜具有更高的 Si-H 键密度，可以有效 地降低反向饱和电流，具有更好的钝化效果，但是 本实验采用 0.3~3.0 Ω•cm 、100 晶向、125.0 SiN :H 薄膜的折射率过大时会导致严重的吸收损失 mm×125.0 mm×0.2 mm 的p 型单晶在同一产线进行 x [5] 。所以只能通过调节 Si、N 、H 比例得到合适的厚