简单异质结构——概要能带回顾半导体中的能级：零基准χ.PDFVIP

第三讲： 简单异质结构——概要 l 能带回顾 半导体中的能级： 零基准，, E, E, E g c v 利用能带的同质结-复习 l 异质结能带图 （耗尽近似的推广） 突变结： 1 ，异质结中的新要点：,Eg,Ec,Ev ，排列方式 ，Ⅰ型异质结 a,N-p型：i,平衡状态下；ii,存在偏压 b,p-n型 c,Iso型：P-p,N-n 调制掺杂 1 ，动机，概念 2 ，载流子浓度 坡度成分： 1 ，整体区域 2 ，异质结区域 能带边沿图——复习 l 能带边沿能量 相对于真空基准电平和相互之间的 能带边沿能量是半导体的性质之一。 电子亲合势，c ：相对于真 空基准电平的导带边缘 禁带宽度，Eg ：相对于导带边缘的 价带顶边 l 费米能级 又与掺杂级有关 所以： 或者： 所以： 功函数，F: 相对于真空基准电平的费米能级 同质结——能带图，耗尽近似 l 能带图 a, 孤立的n或p型 i, 真空基准电平相同 ii, 费米能级不同 iii,两种材料都是电中性 同质结——能带图，耗尽近似 l 能带图（续） b, 电连接的 i, 电荷在两边之间移动 ii. 费米能级变化直到相等 iii. 真空基准电平是：-q (x)，其中 (x) = (q/)∫∫ (x) dx dx iiii, 耗尽近似是 (x)的很好估计 异质结——能带图，耗尽近似 l 能带图 a，孤立的N型和p型 （以N-p 结为例） 两种材料有不同的电子亲和势，能带隙，介电常数和有效质量外，与同质结相似。 异质结——能带图，耗尽近似 l 能带图（续） b, 电连接的 i, 电荷在两边之间移动 ii. 费米能级变化直到相等 iii. 真空基准电平是：-q (x)，其中 (x) = (q/)∫∫ (x) dx dx iv. E (x) =-qf(x) -c(x) ,E (x) = -qf(x) - [c(x) +E (x)] c v g v. 耗尽近似是 (x)的很好估计 异质结——能带图，耗尽近似 l 能带图（续） c ，有用的现象 i. 最终的静电势， (x)，主要是掺杂级的结果 ii