试验室2009年年报-教育部纳米器件物理与化学重点试验室-北京大学.docVIP

纳米器件物理与化学教育部重点实验室 2009年度报告 2009年度重点实验室总结报告 重点实验室名称：纳米器件物理与化学教育部重点实验室 实验室主任：彭练矛 副主任：陈清，张锦 学术委员会主任：解思深 副主任：王占国，薛增泉，刘忠范 填报人：陈清 总结报告内容： 研究水平与贡献 实验室2009年继续围绕基于纳米材料的纳米器件开展研究，特别是在碳纳米管纳米器件和碳纳米管的可控制备方面取得了非常重要的成果：（1）结合高?绝缘栅材料（HfO2）和顶栅结构，首次在同一根单壁碳纳米管上用我们前期发展的无掺杂工艺实现了近乎完美对称的顶栅n-型和p-型CMOS器件，性能接近理论极限。在这个基础上用两个相邻的n-型和p-型晶体管制备出了电压增益高达160的CMOS反相器。在外加驱动电压为1V时其功耗仅为30pW，是极为理想的低功耗、高性能电路。（2）在生长过程中利用金属碳纳米管和半导体纳米管在化学反应活性上的微小差异，辅以基底作用，首次在石英表面上直接制备出了高纯半导体性（95%-98%）单壁碳纳米管阵列。单壁碳纳米管的直径峰值为1.6nm，超过90%的碳管直径介于1.4-1.8nm，是构建碳纳米管晶体管的理想材料。这两项工作表明规模可控地制备基于碳纳米管的高效集成电路是可能的。 此外，实验室还在纳米材料的原位表征、加工和性能研究等多个研究方面取得了丰硕的成果：（1）在一台扫描电镜