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不同参数溅射的！#薄膜硫化后的特性！
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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不同参数溅射的!# 薄膜硫化后的特性!
张仁刚 王宝义 张 辉 马创新 魏 龙!
（中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室，北京 ###$% ）
（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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采用直流反应磁控溅射法在玻璃和石英衬底上沉积了()* 薄膜，然后将它们在 + , 气流中硫化得到(), 薄
膜 用 射线粉末衍射仪（ ）、扫描电子显微镜（ ）和 透过光谱对 薄膜样品进行了分析 结果表明，
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该 薄膜为六角晶体结构，沿（ ）晶面择优取向生长，其结晶状态和透过光谱与工作气压、 流量比密切
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相关 当气压高于 时，得到厚度很小的 薄膜；而气压低于 时，沉积的 薄膜则不能全部反应生成
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另外，当 流量比低于 或高于 时，结晶状态都会变差 此外，由于 薄膜具有高的沿（ ）晶
(), - 89: * $ = $ = - (), ##
面择优取向的生长特性，使得退火或未退火()* 薄膜硫化后的晶粒尺寸变化很小-
关键词： 薄膜，磁控溅射， 硫化，太阳电池
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性的影响-
K 引 言
K 实 验
(), 薄膜作为一种重要的半导体光电材料，被
广泛应用于各种光电器件中，特别是电致发光器件 首先采用 NOPQ# 型超高真空直流磁控溅射仪
［— ］
’ 分别在玻璃和石英衬底上沉积
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