微掩膜效应he和ar.ppt

已刻蚀的通孔：停止于Au SiC刻蚀：750W/100W/12mTorr GaN刻蚀：350W/25W/3mTorr Cl2/BCl3 GaN刻蚀速率：190nm/min 对Ni或Au选择比：5:1 停止点由无GaN残留时从光学上确定 刻蚀进阶 Ni刻蚀停止层的去除 湿法腐蚀：H2SO4 /H2O2 /H2O (3:1:4) 成品率数据 采用优化条件，通过16轮实验测定成品率 750W/100W, 5 min Ar 预处理 750W/100W SF6 /O2 /Ar 50:10:50 sccm 刻蚀 成品率 约100% 最初5片完整2英寸光学估测成品率90% 结 论 刻蚀速率提高到500nm/min, 同时沟道效应可以控制 通过Ar的预处理及刻蚀中引入Ar，可以控制微掩膜效应 研磨倾斜及非均一刻蚀已通过Ni刻蚀停止层解决 在可接受的刻蚀速率下得到95%的薄SiC晶片刻蚀成品率 激光钻孔 导通孔制备的一种方法 极高的刻蚀速率：10s左右 选择合适的激光，装置，优化功率，可产生较小的碎片， 并无干法刻蚀中的掩膜沟道或微掩膜效应 激光提供可观的材料适用弹性，并不需要附加的过程 背面过程中的激光通孔 激光钻孔的机制 UV激光钻孔装置 大面积加工 UV激光钻孔的光束轮廓 未整形的准分子激光光束是高斯及 平台顶分布，不适合均匀的曝光 单一装置的多重钻孔 UV激光钻孔实例 UV激光