材料传导性.pptVIP

材料的传导性和磁性;导电材料、电阻材料、电热材料、半导体材料、超导材料和绝缘材料等都是以材料的导电性能为基础的。 ;举例： ;能够携带电荷的粒子称为载流子。 ;控制材料的导电性能实际上就是控制材料中的载流子的数量和这些载流子的移动速率。 ;部分材料的电导率 ;经典自由电子理论 ;经典自由电子理论;成功：;一价金属和二价金属的导电问题 ;电子比热问题 ;经典自由电子论的问题根源在于它是立足于牛顿力学的，而对微观粒子的运动问题，需要利用量子力学的概念来解决。;自由电子近似 ;;自由电子近似的问题在于认为势场是均匀的，因此还是不能很好地解释诸如铁磁性、相结构以及结合力等一些问题。 ;能带理论则是在量子自由电子论的基础上，考虑了离子所造成的周期性势场的存在，从而导出了电子在金属中的分布特点，并建立了禁带的概念。 ;从连续能量分布的价电子在均匀势场中的运动，到不连续能量分布的价电子在均匀势场中的运动，再到不连续能量分布的价电子在周期性势场中的运动，分别是经典自由电子论、自由电子近似论、能带理论这三种分析材料导电性理论的主要特征。 ;温度是强烈影响材料许多物理性能的外部因素。由于加热时发生点阵振动特征和振幅的变化，出现相变、回复、空位退火、再结晶以及合金相成分和组织的变化，这些现象往往对电阻的变化显示出重要的影响。从另一方面考虑．测量电阻与温度的关系乃是研究这此现象和过程的一个敏感方法。;在很宽的温度范围内研究电阻与温度的关系可以显示电子散射的不同机制，不同散射形式占优势的温度区域，金属电阻实际上等于残余电阻的温度。 研究电阻与温度的关系向样可以显示超导现象和引起铁磁性反常等的特殊性能。以下先讨论“简单金属”电阻随温度变化的一般规律，随后讨论几种反常的情形。;杂质和晶体缺陷对金属低温比电阻的影响; 在绝对零度下化学上纯净又无缺陷的金属，其电阻等于零。随着温度的升高，金属电阻也在增加。无缺陷理想晶体的电阻是温度的单值函数，如图中曲线1所示。 如果在晶体中存在少量杂质和结构缺陷，那未电阻与温度的关系曲线将要变化，如图曲线2和3所示。在低温下微观机制对电阻的贡献主要由 表示。缺陷的数量和类型决定了与缺陷有关的电阻。;在低温下“电子—电子“散射对电阻的贡献可能是显著的，但除了最低的温度以外，在所有温度下大多数金属的电阻都决定于“电子—声子”散射。必须指出，点阵的热振动在不同温区存在差异。 根据德拜理论，原子热振动的特征在两个温度区域存在本质的差别，划分这两个区域的温度 称为德拜温度或特征温度。在 时电阻与温度有不同的函数关系，因此，当研制具有一定电阻值和电阻温度系数值的材料时知道金属在哪个温区工作，怎样控制和发挥其性能是很重要的。 ;研究表明，在各自的温区有各自的电阻变化规律：; 实验表明，对于普通的非过渡族金属，德拜温度一般不超过500k。当 时，电阻和温度成线性关系，即;在低温下决定于“电子—电子“散射的电阻。这是由于在这些温度下决定于声子散射的电阻大大减弱的缘故。; 普通金属电阻与温度的典型关系;过渡族金属中电阻与温度间有复杂的关系。根据Mott的意见，这是存在几种有效值不同的载体所引起的。由于传导电于有可能从s壳层向d壳层过渡．这就对电阻带来了明显的影响。此外在 时，s态电子对具有很大有效值的d态电子上的散射变得很可观。总之，过渡族金属的电阻可以认为是由一系列具有不同温度关系的成分叠加而成。 ;过渡族金属 的反常往往是由两类载体的不同电阻与温度关系决定的。这已经在Ti，Zr,Hf，Ta，Pt和其他过渡族金属中得到证实。钛和锆电阻与温度的线性关系只保持到350 oC ，在进一步加热到多晶形转变温度之前由于空穴导电的存在，线性关系被破坏。这是由于在过渡族金属中s壳层基本被填满，这当中电流的载体是空穴，而在d壳层却是电子。 ;多晶形金属不同的结构变体导致了对于同一金属存在不同的物理性能，其中包括电阻与温度的关系。;多晶形金属电阻与温度的关系;多晶形金属变体存在不同的温度关系和电阻温度系数，使得有可能创造出工作在一定温度区间，以一个金属为基且具有预期电学性能的合金。;;;;图5.3-6温度对具有磁性转变金属比电阻和电阻温度系数的影响 (a)一般情况；(b)金属镍;压力对材料的性能表现出强烈的影响。由于压力改变着系统的热力学平衡条件，因而也就能够使金属出现新的变体。 一般认为在几百千巴(1巴=1.02大气压=105帕斯卡(Pa))压力下不发生某种相变的物质几乎是没有的。;在压力的作用下，由于传导电子和声子之间相互作用的变化，电子结构以及电子间相互作用发生改变，金属的费米面和能带结构发生变化；在压力的作用下，金属的声子谱照样