基于ⅲ-ⅴ族半导体材料的热光伏电池研究进展 recent development of tpv cells based on ⅲ-ⅴ group semiconductor materials.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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基于ⅲ-ⅴ族半导体材料的热光伏电池研究进展 recent development of tpv cells based on ⅲ-ⅴ group semiconductor materials.pdf

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基于ⅲ-ⅴ族半导体材料的热光伏电池研究进展 recent development of tpv cells based on ⅲ-ⅴ group semiconductor materials

基于Ill—V族半导体材料的热光伏电池研究进展方思麟，于书文，刘维峰，刘爱民 (大连理工大学物理与光电工程学院，辽宁大连116023) 摘要：部分Ⅲ．V族化合物半导体具有较窄的禁带宽度，对红外发射体的温度要求较低，非常适宜制备热光伏(’州)电池。简要介绍热光伏系统的基本结构，讨论了基于GaSb、InGaAsSb、方法和主要性能参数进行了比较，分析了各自的优缺点，指出了我国热光伏技术的发展趋势。关键词：热光伏；m．V族半导体；窄带文献标识码：A 中图分类号：TM914．42；TN304．23 Recent ofTPVCellsBasedonm-v Development SemiconductorMaterials Group Silin，YuShuwen，Liu Aimin Fang Weifeng，Liu (School 1 of纠咿池andOptoektronicTechnology，DalianUn／vers／tyofTechno／ogy，Da／／an16023，‰) Abstract：Someofm．v semiconductorsa弛suitableto compound infrared havengITOWband serious tothe of baaiestructures they gap．no requirementtemperatureobject．而e are recent of’IWceilsarediscussedbasedon∞啪main introduced．the 0f’11FⅣsystem development materials ofHI-V semiconductor compositionsgroup madea ontheirfabrieaionand and charaetem，theadvantagesdisadvantages comparison process a∞analyzed， atlastthe trendofnational’11FⅣaleout． development pointed band semiconductors；narrow Keywords：thermophotovoltaie；m-vcompound gap EEACC：2520D；4250 想材料，这使得基于Ⅲ．V化合物的热光伏电池逐 0 引言渐发展了起来。热光伏发电技术(’1w)是将高温热发射体发本文将首先对热光伏系统的基本结构做简要介出的红外辐射能通过半导体光伏电池直接转换成电绍，接下来对几