基于algangan hemt的c波段混合集成功率合成放大器的设计 aigangan hemts power amplifier mic with power combining at c-band.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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基于algangan hemt的c波段混合集成功率合成放大器的设计 aigangan hemts power amplifier mic with power combining at c-band.pdf

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基于algangan hemt的c波段混合集成功率合成放大器的设计 aigangan hemts power amplifier mic with power combining at c-band

第28卷第4期半导体学报 V01．28No．4 2007年4月 CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTORS Apr．，2007 HEMTsPower MICwith AIGaN／GaN Amplifier Power “ CombiniJ atI-二一 and。 gnignibmoCdnaB—C。 Yao Bin2，ChenYanhul，Chen Kel，Li Xiaojian91…，Li Xiaojuanl，WeiChengzhanl， Luo Danl，Liu Liu Weijun3，WangXiaolian93，LiuGuogu01，andXinyul t1InstituteMicroelectronics，Chinese 100029、C_llina) of AcademyofSciences，Beijing (2 Microelectronic 610041，China) Longrui Corporation，Chengdu (3InstituteSemiconductors，Chinese 100083，China) of AcademyofSciences，Beifing MICwith basedon HEMTswasfabricatedandmeas- Abstract：A A1GaN／GaN poweramplifier powercombining ured．The consistsoffour transistors．AWilkinsonand wereusedtodi— amplifier 10×120肛m splitterscombining videandcombinethe the at maximumCW of amplifierVDs=40V，los=0．9A，a power．Bybiasing outputpower 41．4dBmwithamaximumadded 32．54％anda combine of69％was power efficiency(PAE)ofpower efficiency achievedat5．4GHz． Keywords：A1GaN／GaN HEMTs；powercombining；MIC；poweramplifiers EEACC：1350F；1350H CLC Document Article number：TN325+．3 code：A