基于bicmos工艺的d类功率放大器设计 class-d amp design and development base on bicmos process.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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基于bicmos工艺的d类功率放大器设计 class-d amp design and development base on bicmos process.pdf

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基于bicmos工艺的d类功率放大器设计 class-d amp design and development base on bicmos process

第9卷，第5期电子与封装总第73期 V01．9．No．5 2009年5月 ELECTR(nCSPACKAGTNG 基于BiCMOS工艺的D类功率放大器设计朱洲，李冰，肖志强 (东南大学IC学院，南京210096) 摘要：文章首先详细研究了D类音频放大器和相关的BiCMOS的基本原理和结构，并在此基础上综合现阶段国内市场对D类功率放大器的需求，开发了基于0．6um特征线宽、双层多晶、双层金的功率驱动阻抗为8的负载。它同样可驱动阻抗为4的负载，5V电压下提供的最大功率为2．IW／Ch。同时还详细描述了前置音频放大器，三角波产生电路、比较器，死区控制电路，输出驱动电路等子模块的设计内容。电路在Cadence环境下进行设计和仿真验证，经过仿真表明电路设计性能良好，符合设计要求，可广泛应用于便携式电子产品。关键词：D类功率放大器；死区控制；H桥；BiCMOS工艺；多晶发射极；便携式中图分类号：TN722．7 文献标识码：A 文章编号：1681—1070(2009)05—0028．03 CLASS-DAMP and baseonBiCMOSProcess DesignDevelopment ZHU Zhou，LI Bing，XIAOZhi-qiang IC (SourestUniversityCollege，Naming210096，China) Abstract：Inthis onthebasic ofclassD andBiCMOS dissertation，first study principle poweramplifier process． After at D ofhomemarket circuitofclass is synthetizing presentstage，the poweramplifierdesigned requirement Oil emitterBiCMOSofO．6 mdouble doublemetal．ThisclassD basing p polysilicon polysilieon process power candrive8loadwith1．4W／Ch at5V candrive4loadwith2．1W／Ch at5V amplifier powersupply．And power then themoduleof audio describe timecontrol supply．And pre amplifier,trianglegenerator,comparator，death an