蓝宝石表面处理对氮化镓薄膜的影响深圳大学.PDF

第 36 卷第 8 期 光 　子 　学 　报 Vol . 36 No . 8 2007 年 8 月 　　　　　　　　　　　　 Augu st 2007 A C TA P HO TON ICA SIN ICA 蓝宝石表面处理对氮化镓薄膜的影响 1 ,2 ,3 3 3 3 3 3 彭冬生 ,冯玉春 ,王文欣 ,刘晓峰 ,施炜 ,牛憨笨 ( 1 中国科学院西安光学精密机械研究所 ,西安 7 10 119) (2 中国科学院研究生院 ,北京 100039) (3 深圳大学 光电子学研究所 ,广东 深圳 5 18060) 摘 　要 :采用化学方法腐蚀 c面蓝宝石衬底 , 以形成一定的图案 ;利用 L PMOCVD 在经过不同腐 蚀时间的蓝宝石衬底上外延生长 GaN 薄膜 采用高分辨率双晶X 射线衍射仪 、三维视频光学显微 镜 、扫描电子显微镜和原子力显微镜进行分析 结果表明 ,对蓝宝石衬底腐蚀 50 min 情况下 ,外延 ( ) ( ) 生长的 GaN 薄膜晶体质量最优 ,其 0002 面上的 XRD 半峰全宽为 202 . 68arc sec , 1012 面上的 ( ) XRD 半峰全宽为 300 . 24arcsec ;其均方根粗糙度 RM S 为 0 . 184 nm 关键词 :表面处理 ;MOCVD ;横向外延生长 ; GaN 薄膜 ( ) 中图分类号 : TN304 . 054 ; TN304 . 2 + 3 ;O484 . 1 文献标识码 :A 文章编号 :100442 13 2007 0814435 0 　引言 1 　实验 ( GaN 及其系列材料 包括 AlN ,Al GaN , In GaN , 外延生长设备是 Tho ma s Swan 3 ×2 ″的 L P Al In GaN ,InN) 由于其光谱覆盖范围宽 ,热稳定性 MOCVD ,该设备为垂直式 ,即气流与衬底片平面垂 和化学稳定性好 ,在光电子学 、微电子学领域都有广 直 实验所用的衬底为 c面的蓝宝石 针对蓝宝石 泛的应用前景 目前 , 国际上在 GaN 器件领域已经 衬底上传统横向外延生长 GaN 薄膜存在的问题 ,采 取得了重大突破 ,高亮度蓝 、绿光发光二极管早已商 用化学方法处理蓝宝石衬底表面 , 以形成一定的图 品化[ 1] ,长寿命紫外光和蓝光激光器也 已研制成 案 ,然后再在此一定图案的蓝宝石基底上外延生长 功[23 ] 由于缺乏与之匹配的衬底材料 , 外延 GaN