第四章 - 半导体的电导率.ppt

Ch4 半导体的导电性;重点： 半导体的迁移率、电导率、电阻率随温度和杂质浓度的变化规律 载流子的散射概念,了解迁移率的本质 载流子散射的物理本质(定性结论) 电导率 ;4.1 载流子的漂移运动和迁移率; J= ? |E| （4-7） 导体中某点J和该处的?及E直接联系起来—欧姆定律微分形式(微分欧姆定律)。;4.1.2 漂移速度和迁移率 外加V，导体内部自由电子受到电场力的作用，沿电场的反方向作定向运动构成电流。 　　　　　　 　　电子在电场力作用下的这种运动称为漂移运动，定向运动的速度称为漂移速度;　　设n为电子浓度，则两面间电子数为 乘以电子量即为电流强度，所以 显然: ; 导体内E定时，e具一恒定不变的 。 E增大，J相应增大， 随着|E|的增大而增大。 的大小与|E|成正比，写为: ; ?称为电子的迁移率，表示单位场强度下电子的平均漂移速度，单位是m2∕V·s或cm2∕V·s。 ;　 　 　因为电子带负电，所以 一般应和电场E反向，习惯上迁移率取正值，即 可以得到 再与式（4-7）相比，得到 式（4-13）为电导率和迁移率间的关系。;4.1.3 半导体的电导率和迁移率 半导体的导电机理：电子导电、空穴导电;　　同一电场作用，电子、空穴平均漂移速度不会相同，导带电子平均漂移速度要大些，导带电子迁移率大于价带空穴迁移率。　　 ?n ?p：电子和空穴迁移率； Jn Jp 电子和空穴电流密度； n, p 电子和空穴浓度 则半导体中总电流密度J 应为 J= Jn + Jp =q(n ?n +p ?p )|E|（4-14） ; 　 |E |不太大时，J与|E |间仍遵守欧姆定律,两式相比较，得到半导体电导率 ? 为 ? =q(n ?n +p ?p )（4-15） 式（4-15）表示半导体材料的电导率与载流子浓度和迁移率间的关系。 ; 　两种载流子的浓度相差很悬殊而迁移率差别不太大的杂质半导体来说，它的电导率主要由多子决定。 对n型且n》p ? =qn ?n （4-16） 对于p型半导体，pn，电导率为 ? =qp ?p （4-17） 对于本征半导体，n=p=ni，电导率为 ? =qni（ ?n +?p ） （4-18）;4.2 载流子的散射; 载流子在半导体中运动时，会不断地与热振动着的晶格原子、电离杂质离子发生作用，发生碰撞。 碰撞后载流子速度的大小及方向就发生改变。 用波描述，电子波在半导体中传播遭到散射。 载流子无规则的热运动也正是由于它们不断地遭到散射的结果。;　　 所谓自由载流子，只在两次散射之间才真正是自由运动的。 其连续两次散射间自由运动的平均路程称为平均自由程， 平均时间称为平均自由时间。 ; 图示意画出电子无规则热运动。无外电场时，电子虽不停息地做热运动，但宏观上它们没有沿着一定方向流动，所以不构成电流。 ;外加电场： 1）载流子作定向运动 2）载流子不断遭到散射;　　由于电场作用而获得的漂移速度，便不断地散射到各个方向上去，漂移速度不能无限积累。 载流子在电场作用下的加速运动，只在两次散射之间才存在，经过散射后它们又失去了获得的附加速度。;4.2.2 半导体的主要散射机构 　　半导体中载流子在运动过程中被散射原因？ 　　周期性势场的被破坏！引入附加势场 　　导致电子运动过程中状态不断发生改变。 　　;主要散射机构： 电离杂质散射 晶格振动的散射 等同的能谷间散射 中性杂质散射 位错散射载流子之间的散射;1．电离杂质的散射 　杂质电离后是一个带电离子，施主电离后带正电，受主电离后带负电。 　在电离施主或受主周围形成一个库仑势场，局部地破坏周期性势场，是使载流子散射的附加势场。; 当载流子运动到电离杂质附近，库仑势场的作用，使载流子运动方向改变，以速度v接近电离杂质，而以 v? 离开，类似?粒子在原子核附近的散射。; 下图画出电离施主和