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摘要
摘要
铜舍金出于具有优良的导电导热以及嶷好的强度,已猩现代集成电路勰料
封装中占据了弓f线稚架材聿尊的较大份额。稳铜合金容易氧纯,其氧化膜被认为
是槊料封装褥流焊正艺中分层和裂纹的主要原因之一,因此引线椴架铜合众的
合垒硬度和导电率的影响,着重研究了合金在中低温下的氧化行为。
中频感应炉制备,对铸锭分别经两种工艺(A:铸态+冷轧+时效;B:铸态+固溶处
毽÷冷乾÷辩效)憝毽惹,裁溺蹇瀣会程显徽镜、扫攒邂镜、x射线磐瓣纹、黧徽
硬度计、涡流导电仪等手段,研究了上述诚样的显微硬度和导电率随时效时间
交豫烧律;凌300℃羁600℃下豹氧纯行为,以及摆疲氧纯膜豹显微形魏亵绪糖;
探讨了合金的氧化机理以及稀土的添加对含金氧化行为的影响,结果如下:
能力的影响相当。不同形交童对合众的氧化行为影响不大。
附校都有所绳高,认为Y降低了氧亿膜的奎长速率,促进了cf在菇界处德浆,
利予生成Cr203,而稳定性较高cr203对氧向内部扩散有一定的阻碍作用。
金氧化速率很快,随着氧化时间的增加,合金氧化速率逐渐变的缓慢。
(警根攒氧证速率鬻数辫表达式K。=.4exp(一r/震玲,缀诗雾霉锈:工葱8
Cu-Cr会金戆譬。泛艺A楚理豹Cu-Cr会众耱置。。试为嚣±Y熬添麓提舞会
金抗氧化能力是因为稀土Y提高了氯化扩散激活能嚣所致。
(5)在馀当的形变量和越效工艺下,采髑工艺A裁各鹊Cu-0,8Cr-0.∞y会
金硬度可远150Hv以上,导电率可达90%IACS,而采用工艺B制备的
Cu-0.8Cr-0.05Y合众导电率与工艺A豹摁巍,硬度较低,氧化速率更慢,瓴化
膜的平整健、致密住和黏附性都较好。
关键词:引线框架;Y元素;Cu-Cr-Y合金;固溶处理;氧化;氧化速率常数
Abstraet
Abstract
Cu havetaken inLead-framematerialfor circuit
alloys largequotient integrated
totheir electrical thermalconduction
due conductivity,excellent
(ic)packagesgood
and moreattentionhasbeen totheoxidation
llighstrength.Recently,much paid
Cu Lead—frame.becauseoxidationfillhasbeendeemedto
of
performancealloys
oneofthemain leadscrackordelaminationOOcUlin
matter,which assemblyprocess.
onhardnessand
Thisissuehasstudiedtheeffectsofdifferentbeat-treatment
ofCu—CrandCu-Cr-RE onthe
particularly
conductivity alloys,andemphasize
oxidation ofthoseinlowandmedium ckcumstances.
performancealloys temperatttre
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