电子陶瓷-第四章.ppt

* 第四章 电子瓷的表面及烧结后的加工处理 本章主要讲述下列内容 : 电子陶瓷表面 表面加工 电子瓷施釉 近代电子技术的发展，特别是在微波、大功率、超小型化大规模与超大规模集成电路、混合集成电路的发展对电子陶瓷提出了更高的要求,要求如下： (1)高的机械强度 (2)平整光洁表面 (3)几何尺寸准确 (4)瓷件与金属件或瓷件与瓷件间结合 (5)陶瓷晶粒的定向排列 §4.1 电子瓷的表面 电子瓷的表面: 主要指它的烧结表面，也叫自然表面 电子瓷的表面: 硬而脆，常压下不具有任何塑性，陶瓷质点间具有很大的结合能（键能） 原子间距大，表面能小 外力作用，晶面间开裂，不可能作类似金属晶体中的塑性晶面滑移,而使机械加工困难 1 陶瓷烧结体的表面状况 烧成瓷件 可在光学显微镜下观察到晶粒及晶界等结构 陶瓷无模烧结，为自然表面 成型的坯体表面（成型方式） 烧成过程表面晶粒定向及其生长，及其高温下表面张力作用形成的气-固界面 1?m 以下 流延法成型，坯模朝有机膜载体的一面可获得光洁度高的坯体粉细，则坯体中堆积间隙小,光滑的有机薄膜表面，有助于流延浆料形成光滑的坯膜，而朝刮刀的一面，光洁度较低。 如晶面与瓷体表面基本一致或交角不大（5-15 ），则晶粒将保持平面生长，但与瓷面成一定的倾斜角 ，晶面与瓷面交角较大时（大于20 ）晶粒表面按阶梯状生长 ，夹角越大则棱线越密。 通常都出现不同程度的凹陷，粒界越厚，则凹痕越深 几种氧化铝瓷自然表面的实测粗糙度 （a）含玻璃相多，晶界宽，晶粒粗而高低不一，图4-1 粗糙度±2.5?m； （b）含玻璃相较少的99.5% Al2O3瓷，晶界密实，晶粒细小，粗糙度±0.08?m； （c）微晶氧化铝瓷，粗糙度仅达0.03~0.06?m 2 陶瓷烧结体表面粗糙度的测量 （1）机械探针法，仪器为粗糙计(Roughness-meter) 有三种方法：其一为在样品中心（300mm2）处测量5个点，找出其中所测之最大高度Rmax；其二为测量10个点的高度平均值RZ；其三为测量中心线高度平均值RCLA，缺点为某些点或线，没有直接反映面的特性 （2）光学测试法，光泽计法（Gloss—meter） 测试原理：光源2发出的光，经透镜变成平行光后，照射于待测样品1的表面上，其反射光经透镜聚焦后为检测器3所收集。 照射面积随入射角入射角而变，反射光的强度与入射角也有关。 式中， 为相应入射角 的光泽度； 为待测样品表面的反射光束光强； 为标准样品表面的反射光束光强 ，光泽度与粗糙度有一定的对应关系。 3 对电子陶瓷光洁度的要求 一般作为集成电路基片用陶瓷，对表面光洁度要求较高，对厚膜电路，其膜厚5?m，故其基片光洁度无特别要求，达到致密度即可，表面略有粗糙还可以增加膜层的附着力； 对薄膜电路，其膜厚本身只约为1?m，必然对基片表面的光洁度有更高的要求； 例如：要在表面蒸附电容的基片，则要求基片表面粗糙度低于0.025?m，精烧陶瓷很难达到这一要求 4 影响电子瓷光洁度的主要因素 （1）工艺上的影响因素 原料组分 、料粉粗细、粒度分布 、成型方法 、烧成工艺 、 瓷体密度 、施釉 工艺和研磨抛光 （2）结构上的主要因素 晶粒大小、均匀程度、气孔含量及孔径、粒界中玻璃相的含量、及其密实程度 晶粒愈细，愈匀，则表面光洁度愈高；气孔率愈低，气孔愈细愈好；晶粒中异相愈少，粒界密实、紧凑则好。光洁度高的陶瓷，显微结构呈现：晶粒均匀，晶界平直，晶面平整 （3）工艺措施 工艺上：成分纯，粉料要细而匀，粒径配比要合理，坯体致密，忌升温过快，过高，严格控制粒度，粒径防止二次晶粒长大 应用举例：实际上薄膜电路基片主要用的电子陶瓷是BeO和 Al2O3 。细氧化铝瓷的工艺：加入MgO烧结助剂（0.25wt%），形成MgAl2O4阻止二次晶粒长大，但由于陶瓷表面MgO挥发，则表面缺少MA，出现反常巨晶，再加入0.01wt%Cr2O3，则晶粒大而均匀，晶界平直，表面平整，因MgCr2O4防止MgO挥发 §4.2 电子瓷的表面加工 集成电路基片、微调电容器、微波窗口、微波谐振器、表面波器件、气敏封接的接合口等电子陶瓷都需要表面加工 加工有三种方法：机械研磨、化学处理、以及其他方法 1 电子瓷机械加工 机械加工过程：粗磨、细磨及抛光 由于电子瓷表面晶粒取向的随机性，气-固表面不可能是平整的 （a）粗磨：达到表面凹坑的最大深度，磨蚀量在铸铁磨盘上进行，磨料粒径250~300μm以下粗磨不足，则细磨工作量加大，但粗磨也不能