.4.2 RAM.pptVIP

* 4.2.1 RAM的结构 RAM的基本结构如下图所示： 存 储 矩 阵 地址译码器 读 写 电 路 地址码 输出信息 输入信息 读∕写控制 4.2 随机读写存储器RAM 返回 特点：随机存取数据； 易失性存储器 4.2.2 地址译码方法 1．单译码形式 第15字 (0,0) 读写电路 读写电路 读写电路 读写电路 地 址 译 码 器 地址码 ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● 字线0 字线1 字线15 第0位 第1位 第2位 第3位 第0字 第1字 0位线 1位线 bI0 bO0 bI1 bI2 bI3 bO1 bO2 bO3 A0 A1 A2 A3 读∕写控制 (0,1) (0,2) (0,3) (1,0) (1,1) (1,2) (1,3) (15,0) (15,1) (15,2) (15,3) 存储元：只能存储一位二进制数据 存储单元：由一组有序存储元组成，能够存储一个多位的 　　　　　　二进制数据（称为一个“字” ）的单元 存储容量：存储元的总数目 ( 字数×每字位数 ) 字数： 即字线数，等于 2n （n为地址码的位数） 2．双译码形式 地 址 译 码 器 A0 A1 地 址 译 码 器 A2 A3 写入数据 读出数据 读∕写控制 x0 x1 x2 x3 y0 y1 y2 y3 x y 读 写 电 路 (0,3) (0,2) (0,1) (1,0) (1,1) (1,2) (1,3) (2,3) (2,2) (2,1) (2,0) (3,0) (3,1) (3,2) (3,3) (0,0) 优点：字选线大大减少 　　　宜构成大容量存储器 4.2.3 RAM的存储元 1. SRAM存储元 y UDD B B 存储元 读∕写控制 R∕W I∕O （数据总线） T1 T2 T3 T4 T6 T5 T7 T8 G1 G2 G3 Q Q D D (行选择) x （列选择） 数据线 数据线 位线 位线 幻灯片13 SRAM: Static Random Access Memory UDD 存储元 T1 T2 T3 T4 T6 T5 Q Q (行选择) x B 位线 B 位线 N+ N+ P S G D B - uGS + 金属 SiO2 D S G B iD + uDS _ uGS + _ P+ P+ N S G D B - uGS + 金属 SiO2 D S G B iD + uDS _ uGS + _ （a）N沟道 MOS管 （b）P沟道MOS管 幻灯片11 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 半导体硅的晶体结构示意图 电子：带负电荷的载流子 空穴：带正电荷的载流子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 +5 N 型半导体的晶体结构示意图 多数载流子：带负电荷的电子 少数载流子：带正电荷的空穴 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 +3 P 型半导体的晶体结构示意图 多数载流子：带正电荷的空穴 少数载流子：带负电荷的电子 （a）N沟道 MOS管 N+ N+ P S G D B - uGS + 金属 SiO2 栅极 漏极 源极 衬底 D S G B iD + uDS _ uGS + _ 反型层 UGS UT 时，D、S 断开 UGS UT 时，D、S 导通 导电沟道：将源极 S 和漏极 D 连接起 来的反型层 开启电压UT ：开始形成导电沟道所需 要的栅极电压 UGS P+ P+ N S G D B - uGS + 金属 SiO2 （b）P沟道MOS管 幻灯片5 D S G B iD + uDS _ uGS + _ UGS UT 时，D、S 断开 UGS UT 时，D、S 导通 uI D S G B +VDD(+10V) uO RD 20kΩ （a）MOS开关电路 D S G uI＜UTN +VDD(+10V) uO RD 20kΩ （b）夹断时等效电路 uI＞UTN D S G +VDD(+10V) uO RD 20kΩ （c）导通时等效电路 0 1 0 1 uI +VDD(+10V) uO TN1 TN2 （a）NMOS反相器 0 1 0 1 TN uI +VDD(+10V) uO TP （b）CMOS反相器 幻灯片4 负载管 *