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第六章第六章 pn结结 第六章第六章 结结 6.1 pn结及其能带图结及其能带图 结及其能带图结及其能带图 1、、pn结的形成和杂质分布结的形成和杂质分布 、、 结的形成和杂质分布结的形成和杂质分布 制造原理：杂质补偿原理 n-Si p-Si p-Si N A N N D A 制造方法： 1、合金法 (Alloy)； 2、扩散法 (Diffusion)； 3、离子注入法 (Ion implantation)； 4 、生长法 (Growth)； 合金法制备合金法制备pn结结 合金法制备合金法制备 结结 下图表示用合金法制造pn 结的过程，把一小粒铝放在 一块n型单晶硅片上，加热到一定程度，形成铝硅的熔融 体，然后降低温度，熔融体开始凝固，在n型硅片上形成 一含有高浓度铝的p 型硅薄层，它和n 型硅衬底的交界面 处即为pn结。 合金结的杂质分布如下图所示，其特点是n型区中的施主杂 质浓度为ND,而且是均匀分布，p 型区中受主杂质浓度为 NA ，也是均匀分布。在交界面处，杂质浓度由NA （p 型） 突变为ND （n型），具有这种杂质分布的pn结称为突变结。 设pn 结的位置在x=x 处， N(x) j 则突变结的杂质分布可以表示 NA 为： x x , N(x) = N j A N D x x , N(x) = N j D x x j 实际的突变结，两边的杂质浓度相差很多，通常称 + 这种结为单边突变结 （这里是p n结）。 扩散法制造扩散法制造pn结结 扩散法制造扩散法制造 结结 下图是用扩散法制造pn结（也称扩散结）的过程。它是 在n型单晶硅片上，通过氧化、光刻、扩散等工艺制得的 pn结。其杂质分布由扩散过程及杂质补偿决定。 p型杂质 SiO2