利用混合极性制备多孔缓冲层及其在gan厚膜外延中的应用 growth of thick gan films on mixed-polarity buffer by halide vapor phase epitaxy.pdfVIP

第28卷第6期 半导体学报 V01．28NO．6 CHINESE 2007年6月 JOURNALOFSEMICONDUCTORS June，2007 利用混合极性制备多孔缓冲层及其在GaN厚膜 外延中的应用* 尹志军’ 钟 飞 邱 凯 李新化 王玉琦 (中国科学院材料物理重点实验室，合肥230031) 的OaN薄膜在强碱溶液中腐蚀特性的差异。混和极性样品经腐蚀处理后，得到了一层具有多孔结构的GaN层．以 多孔结构的GaN作为缓冲层，用卤化物气相外延(HVPE)方法生长GaN厚膜．x射线双晶衍射和光致发光等测试 结果表明，多孔结构的GaN缓冲层可以有救地释放GaN厚膜和衬底之间因热膨胀系数失配产生的应力，使GaN 厚膜晶体的质量得到很大提高． 关键词：OaN)极性f多孔，应力释放 8115H PACe：7280E)8115G1EEACCl0520D)0520F)2520D 中图分类号：TN304．2+3文献标识码：A 文章编号：0253．4177(2007)06．0909．04 层质量，最好是选择GaN衬底进行同质外延．由于 1 引言 HVPE方法具有极高的外延生长速率，并可以得到 相对质量较高的外延膜，使生长GaN厚膜并通过剥 以GaN为代表的氮化物半导体材料具有禁带 离方法得到自支撑的GaN衬底成为可能．目前许多 宽、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等 研究人员已成功地利用HVPE方法在Si，SiC， 特点，在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高 GaAs，蓝宝石等异质衬底上生长出GaN厚膜，但由 性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件领 于热应力的影响，GaN外延层质量仍有待进一步提 域有着广泛的应用前景．近年来，人们采用多种方法 高．人们通常采用低温缓冲层[8]、侧向外延嘲以及多 进行了GaN及相关化合物材料的外延生长研究，如 孔缓冲层[1阳等方法释放应力．其中多孔缓冲层技术 分子束外延(MBE)、金属有机物气相外延 是近来发展起来的新技术，多孔SiC[113和多孔 (MOVPE)和卤化物气相外延(HVPE)等[I一3】．人们 在研究过程中逐渐认识到对于六方相的GaN，极性 料的表面形貌，降低外延层中应力，抑制裂纹的产 对外延层质量影响很大H]．一般在Ga极性面上生生，显示出该方法是极有潜力的技术之一． 长的外延材料样品表面比较平整，生长速率较快，电 本文首先利用MBE方法在蓝宝石衬底上生长 学和光学性能都比较高；而在N极性面的生长外延 出混合极性的GaN外延层，利用不同极性的GaN 材料表面比较粗糙，许多方面的性能都比较差，因此 在碱液中腐蚀速率存在较大差异[13]的特性，将上述 人们通常制备Ga极性GaN外延膜．采用MOCVD GaN层腐蚀成多孔结构．最后再将此多孔层作为 技术在蓝宝石上生长的GaN薄膜较易形成Ga极 HVPE生长的缓冲层进行GaN厚膜生长．利用此 性[5]，而常规MBE法在蓝宝石上生长的GaN一般 方法，探索一种消除应力，提高外延层晶体质量的新 得到N极性面[6]．为了用MBE技术得到Ga极性途径． 的外延材料，人们采用了多种工艺，如高温AIN缓 冲层[6]、MEE法[71等．这些方法本质上是一种极性2 实验 翻转工艺，即从N极性向Ga极性的翻转． 目前的GaN器件多是利用蓝宝石、碳化硅等异