利用水平热壁cvd法生长的3c-sicsi的均匀性 uniformity investigation in 3c-sic epitaxial layers grown on si substrates by horizontal hot-wall cvd.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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利用水平热壁cvd法生长的3c-sicsi的均匀性 uniformity investigation in 3c-sic epitaxial layers grown on si substrates by horizontal hot-wall cvd.pdf

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利用水平热壁cvd法生长的3c-sicsi的均匀性 uniformity investigation in 3c-sic epitaxial layers grown on si substrates by horizontal hot-wall cvd

第卷第期半导体学报 28 1 Vol.28 No.1 年月 9 2007 1 C~INESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Jan. 2007 Uniformit Investi ation in 3C-SiCE itaxial La ersGrown on Si y g P y Substratesb Horizontal Hot-wall CVDy T 9 9 9 9 9 Li Jia e Zhao Yon mei Liu Xin fan Sun Guoshen Luo Muchan y g g g g g 9 9 9 Wan Lei Zhao Wanshun Zen Yi in and Li Jinmin g g p g ( 9 9 9 ) InstituteO SemicOnductOrs ChineseAcadem O Sciences Bei in 100083 China f S f J g : ( ) ( ) Abstract 50mm 3C-SiC e ila ers are rown on 100 and 111 Si substrates in a newl develo ed horizontal P Y g Y P low- ressure hot-wall CVD reactor under dif f erent rowth ressures and f low rates of H carrier as. the struc- P g P 2 g 9