磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺 ohmic contact for inp-based hemts.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺 ohmic contact for inp-based hemts.pdf

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磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺 ohmic contact for inp-based hemts

第卷第期半导体学报 Z7 11 VOl.Z7 NO.11 年月 Z006 11 CHINESEJOURNAL OF SEMICONDUCTORS NOv. Z006 磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺% 刘亮尹军舰李潇张海英李海鸥和致经刘训春T 中国科学院微电子研究所北京 1000Z9 摘要!针对磷化铟基高电子迁移率晶体管进行了和两种金 IHP HEMT Ni Ge Au Ni Ge Au Ge Ni Au 属结构快速退火和长时间合金的实验通过研究比较得到了更适用于基器 10 40S 10miH . IHP HEMT ~ 件制作的合金方法利用结构在下合金形成了典型值 ! 的接触 . Ni Ge Au Ge Ni Au Z70C 10miH 0.068o 电阻. 关键词!磷化铟高电子迁移率晶体管欧姆接触合金传输线模型 EEACC Z5Z0 Z550 中图分类号! 文献标识码! 文章编号! # TN305 A 0Z53-4177 Z006 11-1970-04 形最后样品在合金炉内高纯氮气保护下通过一 l 引言定温度和时间退火形成欧姆接触. 表实验采用的基外延层材料结构 1 IHP ~EMT 1 随着电子信息技术的飞速发展半导体器件的