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滕 嚣④ L ∈D 黧 ：n L E D 翥 上 世 纪 9 0 上 2 cc 可 靠 性 下 1 0 ％ 散 热 年 代 末 ， 白光 度 每 升 ， 降 。 衰 减 。 通 常有 两 种 原 因使 芯 片 失效 。 ： L E D 得 到 了迅 猛 发 展 ， 已 经 成 为 L E D 产 业 迅 速 发展 的瓶 颈 ， 因 一 ， 由于 各外 延 层 之 间存 在 着 或 多或 ： 一 ． 以与 传 统 光 源 相 比 ， 由于 此 ， 在 封 装 过 程 中寻 求 个 好 的散 热 方 的晶格 失配 ， 从 而 在 界 面 上 形 成 大 量 f 其 具 有 节 能环 保 ， 寿 命 长 ， 体积 小 ， 响 式是 L E D 产业 发展 亟 待解 决 的 问题 。 诸 如 位 锚 等 结构 缺 陷。 在 较 高温 度 时 ． 应 迅 速 等优 点 ， 其 有望 成 为 第4 代 照 明用 本 文 分 别 综述 了大 功 率 L E D 封 装 过 这 些 缺 陷会 快速 增殖 、 繁 衍 ， 直 至 侵 ， 光源 。 各 国政 府 高 度 重 视 ， 相 继 出 台 国 程 中几 种 散 热 方 式 ， 以及 它们 的原 理 ， 发光 区 ， 形 成 大 量 的非辐 射 复合 中心 ， 家计 划 ， 投入 巨 资加 以发展 。 L E D 与传 并 总 结 了 各 自的优 缺 点 ， 进 行 横 向 比 严 重 降低 器 件 的注 入 效率 与发 光 效 率 。 统 光源 的发 光机 理 不 同 ， 是 电致 发光 ， 较 ， 寻 求最优 的散热方 式 。 其 二 ， 在 高温 条件 下 ， 材料 内的微 缺 『 热 量 不 能辐 射 出去 。 目前 芯 片 的 电光 转 以及 来 自界 面 与 电极 的扩散 杂 质 也 会 ： 换 效 率 约 为 1 5 ％ ，