抛光垫表面特性分析 analysis of surface characteristics of polishing pad.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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抛光垫表面特性分析 analysis of surface characteristics of polishing pad

h∞s 工秘婕她窘Tem山∞md岫目i出伊‘ 抛光垫表面特性分析苏建修t，傅字1，杜家熙1，陈锡渠1，张学良1，郭东明2 (1．河南科技学院，河南新乡453003； 2．大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室，辽宁大连ll印24) 摘要：研究抛光垫表面特性有利于了解和分析硅片化学机械抛光(cMP)材料的去除机理度优化抛光垫的微观结构。使用zYc0 面粗糙度、表面组织结构、孔隙率、微孔深度厦直径、抛先垫表面微凸峰分布形式及面积支承率，测量扣计算的结果：抛光垫表面粗鞋度为口。(冠fIfs)=6．8pm，均方根租糙度9．4pm，表面孔隙率为56％，平均孔径为36肿，平均孔深为20pm，平均孔距为43pm+微孔数量为 550个／mm2，抛光垫表面微凸峰高度服从高斯分布。关键词：化学机械抛光；材料去除机理；高分子材料；抛光垫；表面特性中图分类号：硼蜘．2；础文献标识码：A 文章编号：100整35谥(20叩)1l一0957埘 of Pad ofSurfaceCharacteristics AmIysis Polishing su Jian．xiul，nJYul，DuJia-xil，cHEN Dong-min矿 xi．qul，zHANGxue-li卸91，Guo (1．日渤如妇矿＆扣碱帆d孔曲眦l‘’田r，盖池面孵453003，(抽m；2．研厶曲，加。ne出面n口以胁打扛d￡如枷 116024，仇hm) 删r啦而，5∞L’盯酽胁r妇寸矿＆h咖，D缸￡帆矾咖睁。，％ch础吕y，及I妇n 0f to the tllesurf缸e}值mcted出c8 Abs岫ct：studyi“g P0hsh抽gpadhelpsunde哪肌d皿d锄alyze g呐em砖。f che诵c越mechanieal p01i幽iIlgpad， p01i暑hiⅡg(cMp)础幽觚i8m粕dopti耐勰lhe商cmscoPic diameter 0f s协Jem糟，po喇ty，d印t11曲d0fⅡlic阳P0舢s，distdbution The蛐dhce珊ughne8B，o。鹊llizatiorl日1 with zYG05022 mte0f the pad黼舭udied 船peIity帅dPr击lebearing Icl000／suhaⅣpoli8hing SEM．TheI{esllltsofmeasu陀Inent蚰dcalclllationslldwtllat profilol