平面型rtd制作过程中的两个关键工艺 two key processes for fabrication of planar resonant tunneling diodes.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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平面型rtd制作过程中的两个关键工艺 two key processes for fabrication of planar resonant tunneling diodes

工艺技术与材料 Proo鼬Technique翻缸Materials 平面型RTD制作过程中的两个关键工艺陈乃金·，郭维廉2一，牛萍娟2，王伟2，于欣2，张世林3，梁惠来3 (1．安徽工程科技学院计算机科学与工程系，安徽芜湖241000； 2．天津工业大学信患与通讯学院，天津300160；3．天津大学电子信患工程学院，天津300072) 摘要：采用n+GaAs衬底和自对准B离子注入技术制作了平面型共振隧穿二极管，深入讨论其制作过程中几个关键问题，包括离子注入能量与剂量的选择、RTD负阻区表观正阻现象等，并系统地研究了快速舍金工艺温度和时间对于制作良好欧姆接触和消除负阻区表观正阻的影响。结果表明对于所选材料，离子注入能量为130keV，弃l量为4×1013／cm2，退火温度为380℃持续 60sq-得到特性较好的PRTD器件，该器件的制作为RTD的应用打下良好基础。关键词：平面型共振隧穿二极管；负阻区表观正阻；离子注入；快速合金；欧姆接触中图分类号：TN313．2文献标识码：A for of Two ProcessesFabricationPlanarResonant Diodes Key Tunneling Chen Weilian2”，Niu N两inl，Guo Pingjuan2，WangWei2， Yu Huilai’ Xin2，ZhangShilin3，Liang and Sc切聊and Science，Wuhu241000，China； (1．却#．ofComputer Eag．Anhuiv,,i,mityofTechnology 2．School andCommunication 300160，吼劬； ofInformation Eng．，TianjinP0加舭University，Tianjin 3．hool ofElectroniclofo,m幽,nEng．，TianjinUnisx．rsity，Tia,gr,300072，‰) on substrateand B Abstract：Planarresonant n+GaAs tunnelingdiode(PRTD)based self-aligned WaSfabricated．SeveralinPRTD werediscussedsuch鹪doseand implantation keyproblems processes energy ofB andthe resistance in resistanceofRTD．Theeffectof implantationpositive phenomenonnegative rapid andtimeonohmiccontactand resistance in annealingtemperature apparentpositive phenomenonnegative at with of4× resistan