平面型ingaasinp apd边缘提前击穿行为的抑制 edge breakdown suppression of planar-type ingaasinp avalanche photodiodes.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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平面型ingaasinp apd边缘提前击穿行为的抑制 edge breakdown suppression of planar-type ingaasinp avalanche photodiodes.pdf

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平面型ingaasinp apd边缘提前击穿行为的抑制 edge breakdown suppression of planar-type ingaasinp avalanche photodiodes

SEMIC0NDUCT0R 0PT0ELECTR0NICS Vol.27 No.3 June2006 光电器件平面型 / 边缘提前击穿行为的抑制 InGaAs InP APD 肖雪芳!杨国华!王国宏!王树堂!陈良惠 (中国科学院半导体研究所9北京 100083) 摘要I 平面型雪崩光电二极管在结弯曲处具有高的电场导致在结边缘的提前击 APD 穿运用软件对不同工艺流程制备的三种不同结构平面型的电场分 FEMLAB InP InGaAs APD 布进行了二维有限元模拟在表面电荷密度为 11 -Z 时分析了吸收层厚度保护环掺杂浓 5X1O cm 度保护环和中央结纵向及横向间距等因素对边缘提前击穿特性的抑制程度比较了这三种结构的在边缘提前击穿的抑制特性的优劣通过理论研究对平面 InP InGaAsAPD InP InGaAsAPD 进行了优化关键词I 边缘击穿雪崩光电二极管结构中图分类号I 文献标识码I 文章编号I TN31Z.7 A 1OO1-5868 ZOO6 O3-OZ78-O4 Ed eBreakdown Su ression of Planar-t e InGaAs InP Avalanche Photodiodes g pp yp XIAO Xue-fan YANG Guo-hua WANG Guo-hon WANG Shu-tan CHEN Lian -hui g g g g Institute of Semiconductors Chinese Academ of Sciences Bei in 100083 CHN y g Abstract The ed e re-breakdoWn of lanar-t e avalanche hotodiode APD is resulted g p p yp p