第四章光刻资料.pptxVIP

半导体光电器件制造技术 第四章 光 刻 本章内容 4.1 光 刻 胶的基本属性 4.2 光 刻 工 艺 前言 4.3 光 刻 中的 常 见 问 题 4.4 曝 光 技 术 简 介 前言 光刻是集成电路(IC :integrated circuit)工艺中的关键技术，其构想源于照相中复印技术，如果把掩膜版看成照相的底片，那么光刻就相当于在晶片表面上复印掩膜版图形。 自1959年美国科学家罗伯特·诺伊斯（集成电路之父，Intel创始人之一）发明硅单片IC至今的50多年里，IC的集成度不断提高，器件的特征尺寸不断减小，这主要归功于光刻技术的进步。 前言 通常可用光刻次数及所需掩模的个数来表示某生产工艺的难易程度，一个典型的硅集成电路工艺包括15－25块掩膜版。硅片IC制造工艺中，光刻占所有成本的35%。 前言 光刻是采用照相复印的方法，将事先制好的光刻版上的图形精确地、重复地印在涂有感光胶的SiO2层或金属层上，然后利用光刻胶的选择性保护作用，对SiO2层或金属层进行选择性化学腐蚀，从而在SiO2 层或金属层刻出与光刻版相应的图形。 光刻示意图 前言 平面晶体管制造工艺中的四次光刻 前言 前言 高灵敏度 灵敏度是指光刻胶感光的速度。在保证光刻质量的前提下，为了提高产量，曝光时间越短越好，这就要求光刻胶具有高灵敏度。 前言 精密的套刻