热丝化学气相沉积法制备钛基BDD电极及苯酚降解性能研究-表面技术.PDF

摇 摇 摇 表面技术 第44卷摇 第5期 ·96 · SURFACE TECHNOLOGY 摇 2015年05月 試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試 热丝化学气相沉积法制备钛基BDD 电极 及苯酚降解性能研究 1 2 3 2 苑奎 ,王婷 ,崔锋 ,倪晋仁 (1.北京大学深圳研究生院环境与能源学院,广东 深圳518055; 2.北京大学 环境工程系,北京 100871;3.深圳盖雅环境科技有限公司,广东 深圳518055) 摘摇 要: 目的摇 研究硼掺杂对改善金刚石膜的电阻率的影响,制备掺硼金刚石膜。 方法摇 采用热丝化学 气相沉积系统,以CH ,H ,(CH O) B 混合气体为反应气,在钛片衬底上沉积制备掺硼金刚石膜电极。 4 2 3 3 对不同生长阶段沉积出的电极进行扫描电镜、EDX 光电子能谱、激光Raman 光谱、X射线衍射、电化学性 能表征及废水降解应用研究。 结果摇 制备出的掺硼金刚石膜呈现出均匀的(111)晶面,Raman光谱图中金 刚石特征峰与硼原子特征峰峰型显著,具有较低的背景电流和更宽的电位窗口(3.5 V),对苯酚废水COD 降解效果显著。 结论摇 有机污染物的吸附量与电极表面的粗糙度正相关,实验室制备的BDD/ Ti 电极表面 粗糙度小,不利于析氢和析氧等副反应的发生,能降低直接电化学氧化作用,从而得到更宽的电势窗口。 关键词:热丝化学气相沉积;金刚石薄膜;掺硼;拉曼光谱;SEM;XRD 中图分类号:TG174.444;O646摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 文章编号:1001鄄3660(2015)05鄄0096鄄06 DOI:10.16490/ j.cnki.issn.1001鄄3660.2015.05.018 Preparation of BDD/ Ti Electrode by HFCVD Method and Its Performance in Phenol Degradation 1 2 3 2 YUAN Kui ,WANG Ting ,CUI Feng ,NI Jin鄄ren (1.School of Environment and Energy,Peking University Shenzhen Graduate School,Shenzhen518055,China; 2.Department of Environmental Engineering,Peking University,Beijing 100871,China; 3.Shenzhen Gaia Environment Co. Ltd. ,Shenzhen518055,China) ABSTRACT:Objective To study the effect of boron doping onthe improvement of theresistivity of diamondfilm,andtoprepare boron doped diamondfilm. MethodsThehot鄄filament chemical vapor deposition (HFCVD) systemwaschosenfor thepreparation of Boron do