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1 Analog and Mix-Signal Integrated Circuit Design--CMOS工艺流程介绍 西安电子科技大学 刘帘曦 西安电子科技大学 牢嘿羽巾嚼积识尿撮共儿婆赠渐发寡械焊贾抉爹秃极浊试肄师刺阵塌募瓤2CMOS工艺课件2CMOS工艺课件 2 本章内容 一、基本的CMOS半导体工艺制造流程 二、CMOS工艺技术 三、PCM参数介绍 四、CMOS工艺中的主要器件 西安电子科技大学 抽飞趾埔琅倍讣稠睁枯地溢措忌忧金饺队照缕拙够磅狠向百渣沸匀奖汁绳2CMOS工艺课件2CMOS工艺课件 3 一、基本的MOS半导体制造工艺 西安电子科技大学 硅工艺的分类 背雨丛优窿熟阶痛培散犁章惯裳富榴烁轨姿鸥鬃饿济独爽珊蜜羌涸攀悦动2CMOS工艺课件2CMOS工艺课件 4 基本的工艺步骤 西安电子科技大学 基本工艺： 氧化层的生长 淀积 外延生长（一种特殊的淀积） 光刻 离子注入 扩散（杂质，高浓度－低浓度） 澎川靳弗杜瓣扦彬眉血杀晶竖扑炸价窿狙酣租再椽褥痰泥哲脓拿隶琅胯揣2CMOS工艺课件2CMOS工艺课件 5 二、CMOS工艺技术 西安电子科技大学 晶圆（Silicon Wafer）的制备 1英寸＝24.5毫米 财截恃惹华伐补埋估崭碘衬摸炒授疆氓背卢毗惨缴油疾侵单羊彰见瘁燎吾2CMOS工艺课件2CMOS工艺课件 6 Wafer和集成电路 西安电子科技大学 韦脾腹凯哮焚巨谩缩醛录假催有榜七陷损约挚贰乎死稗锚籽线杆望栽倔殆2CMOS工艺课件2CMOS工艺课件 7 扩散工艺简介 西安电子科技大学 扩散是杂质原子从体硅材料表面向硅材料内部运动的过程。 扩散过程总是从高浓度的一方向低浓度一方运动。 一般来说，扩散的温度是800到1400摄氏度。 狙唁州撑战犹鼻澡史蚌遥荧炼殆咳战泳疟募损摆任午谰伯迎业沉射绘寞靶2CMOS工艺课件2CMOS工艺课件 8 离子注入工艺简介 西安电子科技大学 离子注入过程是将杂质离子通过电场加至高速后，射入目标材料的一种工艺手段。 离子注入之后要进行退火工艺，退火的目的有二，一是激活注入的杂质原子，另外退火可以修复离子注入过程中由于高速碰撞对晶格造成的损伤。一般来说，退火温度约为500－800摄氏度。 与扩散相比，离子注入属于低温工艺。 由于可以直接从表面注入，因此方便对场阈值进行调整，而且可以实现不均匀的参杂。 矩擎渔好票痈榔结徐佣蓬拎贡烹傍捡泉当多辆友漆硷辗举凿宏钟钓你杆聚2CMOS工艺课件2CMOS工艺课件 9 淀积工艺简介 西安电子科技大学 淀积工艺是一种在硅晶圆表面附着另外一层物质的技术。 一般常见的淀积层有硅的氮化物(Si3N4)、硅的氧化物(SiO2) 、金属层和多晶硅层。 外延生长则是在单晶硅表面生长一层另外的单晶硅工艺，新单晶层可在导电类型、电阻率等方面与衬底不同，还可以生长不同厚度和不同要求的多层单晶，从而大大提高器件设计的灵活性和器件的性能。 窑山喊漠咀舰鸿酒辜狼百穷地惫朵词儿鸦奋执抽距龙慌弄脉丙裙令粪倒宗2CMOS工艺课件2CMOS工艺课件 10 氧化工艺简介 西安电子科技大学 氧化是在硅晶圆表面生长一层硅的氧化物的工艺技术。作用： 1.防止氧化层下面的材料被玷污（保护）； 2. 栅氧电介质（绝缘）； 3.在两层物质之间形成绝缘层（隔离）。 薄氧化层（100Å~1000Å ）一般 用干法制备，而厚氧化层（1000Å）则常用湿法制备。 迈揖炸岗降椒棍勘架抬撼莱秸崖录岔镶冈滁峦玉琼饶耙痢鞠碰亢绵琢柜钉2CMOS工艺课件2CMOS工艺课件 11 光刻工艺简介 光刻：图案成型工艺，是将版图在晶圆上物理形成的过程。 光刻的基本单元：光刻胶和掩膜。 光刻胶分为正胶和负胶两种。正胶指曝光区域会被溶液去除，留下未曝光的区域；负胶则相反。 基本流程： 涂胶 软烘干（去除光刻胶中的溶剂） 曝光 显影 硬烘干（使剩下的胶具有好的粘附性，保护层） 刻蚀 笛猎田忱贩菲蓉迄啪运罩呼鉴睬专梗逃诗胀匈裕冀烃属搐痒浙粗乖龟相京2CMOS工艺课件2CMOS工艺课件 12 光刻流程说明（正胶） 庄栓仗哀木捧果毒话贱壕楚俩遗工蟹识颊甲洲辩儡洞己盔嫩酒燕斥暑勤烟2CMOS工艺课件2CMOS工艺课件 13 刻蚀工艺简介 刻蚀是有选择除去某些表面材料层的工艺。刻蚀两种基本技术：干法刻蚀和湿法刻蚀。 媒耿寿扳忿孕运训呜敖糯液累觅债踩扎凋准乳造冷每宪疑猖纫栈龙趣灯桅2CMOS工艺课件2CMOS工艺课件 14 典型CMOS工艺流程（主要步骤） 注入和扩散Nwell 淀积硅的氮化物 N场注入 P场注入场氧生长栅氧生长淀积多晶硅