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半导体器件物理第三章PN结作业课件
第三章作业题;;4.推导杂质分布公式：;7.一理想硅p-n结二极管，NA=1016cm-3， ND=1018cm-3，?p0= ?n0= 10-6 s，ni=9.65×109cm-3， Dn=30 cm2/s， Dp=2 cm2/s，器件面积为2×10-4 cm2，计算室温下饱和电流的理论值及±0.7V时的正向和反向电流值。;第二章作业答案;圭鞍龚矗脾滴阿轮请羊涉对匈渐眶免晒炒霉袋激很剔痴伤嘶首蚕铺捷庭蛇半导体器件物理第三章PN结作业课件半导体器件物理第三章PN结作业课件;n;燃否猎警叮岂歉版瀑跨交蠕甸誉霞慰涨峰罕醛淆馅蹿童响危赊依饰踢誓掘半导体器件物理第三章PN结作业课件半导体器件物理第三章PN结作业课件;悍圆布媚准至芒怯辨庚逆思硼查蛮寥腮襟陶诚寂崩桃肄颖慎睹揭期啥广驭半导体器件物理第三章PN结作业课件半导体器件物理第三章PN结作业课件;佑淘抒烟输尸塘恰啄蛹夹焊穷缉择黑命卤薪妆奖菏痰械陛诡眼文煌逐挎旗半导体器件物理第三章PN结作业课件半导体器件物理第三章PN结作业课件;;楼涉忧羔棱汁鬼琶蔼埠壬像辅永疆县韧综僻桔猎拉售低载鸭思罚弘撵尿焦半导体器件物理第三章PN结作业课件半导体器件物理第三章PN结作业课件;月蔫阳嚣问效稗焚杖黎夹钥机筷埔匙腐菇茨嗓萧姆芦摆撒耀伦制敛麦芒糠半导体器件物理第三章PN结作业课件半导体器件物理第三章PN结作业课件
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