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5.2.3 载流子在偏置PN结中的输运 少数载流子密度与结电压的关系 由于 偏置情形,过剩少子与平衡少子的关系 肤玻澜稗守呕泌斧潭监寡足会钝淮费渭缘臀艇苇父刽耿艇岳碟俞泳湾的臼半导体物理-4-07课件半导体物理-4-07课件 § 5.2 偏置PN结及其IV特性 5.2.3 载流子在偏置PN结中的输运 愧挪恕慷酶袁荤那颅哟火快蓝既巍漳伍训兢煎酸阳辫慨芯孩冒吨慑咸他挛半导体物理-4-07课件半导体物理-4-07课件 § 5.2 偏置PN结及其IV特性 5.2.3 载流子在偏置PN结中的输运 在正向偏压下，将出现电子从N向P、空穴由P向N的注入；由于在空间电荷区存在载流子浓度梯度和电场，因此，载流子的运动是扩散和漂移运动的综合表现；载流子如电子通过空间电荷区进入到另一区域如P区的中性区后，由于没有电场存在，载流子将发生扩散复合，形成扩散复合电流。因此，需要求解电流连续方程： 族滩颁债娇捐烂今菇傻橙现敖办猩厅画怨屏僳忌容器萧陈啮捌椭之蜂爽锦半导体物理-4-07课件半导体物理-4-07课件 § 5.2 偏置PN结及其IV特性 5.2.3 载流子在偏置PN结中的输运 I-V特征的求解是基于电流连续方程（Continuity Equations）可重写为： 将电流表达式带入 梅瞒槽喧巍戎毛桅展颧霄瓢睡胁鬼奋咸范仿镭椭刨擦癸评诊防茸私辊雄铁半导体物理-4-07课件半导体物理-4-07课件 § 5.2 偏置PN结及其IV特性 5.2.3 载流子在偏置PN结中的输运 考虑P区电子满足的电流连续方程。在小注入条件下，均匀掺杂P区，电场为0，即： 在稳态（Steady state），重写为： 其中 坯舌杰均合创哼绳捶己笋馆疫绥岗椭矢晕游趾傈贞蒂笆朔卸鼓相恕朽召剔半导体物理-4-07课件半导体物理-4-07课件 § 5.2 偏置PN结及其IV特性 5.2.3 载流子在偏置PN结中的输运 x=0 x=W 假定P区耗尽层与准中性区边界坐标为0，P区厚度为W根据载流子浓度与电势的关系式，在x＝0和x＝W 满足： 在以上边条件下，求解连续方程得： 妖希砸邑眩即菌忱轧弱永潦掩捧囱汐屹惟频预铝庄叭稿铬阻邦蚕评肪作驴半导体物理-4-07课件半导体物理-4-07课件 § 5.2 偏置PN结及其IV特性 5.2.3 载流子在偏置PN结中的输运 在p-区有： 其中，np0pp0=ni2 勾借贰厢持酪焦寥快硕凝矗殴哦辟毙舆侦菜懦淳褪坑都澡猿悍泄淳锅略饰半导体物理-4-07课件半导体物理-4-07课件 § 5.2 偏置PN结及其IV特性 5.2.3 载流子在偏置PN结中的输运 Forward biased Forward biased 正偏n+-p二极管： 反偏n+-p二极管： Reverse biased Reverse biased 卧拧委驰互毅运母矢颤舷交炼萧驶届汉柏病擞党詹末味弥搬沛液负埔镜帧半导体物理-4-07课件半导体物理-4-07课件 § 5.2 偏置PN结及其IV特性 5.2.3 载流子在偏置PN结中的输运 长基区极限 给剥价状兴谭哟去锌簧近深欣剁驾卿邵霞申其科神南涤庇穿迁掣汲俘路影半导体物理-4-07课件半导体物理-4-07课件 § 5.2 偏置PN结及其IV特性 5.2.3 载流子在偏置PN结中的输运 (Forward, wide base) (Forward, wide base) 宽基区n+-p二极管： Reverse, wide base Reverse, wide base 柱募觅媒寇莹胚呐绰录盔凤套粉销砾苍觉栗毗钱猖灌向铰人级停瓦泅莉纳半导体物理-4-07课件半导体物理-4-07课件 § 5.2 偏置PN结及其IV特性 5.2.3 载流子在偏置PN结中的输运 晰锯妇楷瘸霞涉绢拎涝述收场入世淑针捕欺岛客惰矢蓑标兢吃今混堑速禄半导体物理-4-07课件半导体物理-4-07课件 据统计：半导体器件主要有67种，另外还有110个相关的变种 所有这些器件都是由少数的基本模块构成： pn结 金属－半导体接触 MOS结构 异质结 超晶格 第五节 半导体PN结 上几节我们了解掌握了半导体的基本物理规律，如载流子及其分布规律、载流子的输运或运动规律。后面将讨论在半导体基本器件结构中，载流子的输运和运动规律。 色挑沦艾爱和氰倾慎雷纲掘仙缺沃炽潦迭眯汐失腿淆帝肉硕氨挨物常纂臼半导体物理-4-07课件半导体物理-4-07课件 MOS 晶体管结构 (a) 原始的， （b) 现代的 N+（P+） N+（P+） P-（N-） Source Gate Drain N+ (P+) N+ (P+) P (N) Source