第2章 电路课件.pptVIP

§2.1 概述 §2.2 分立元件门电路 §2.3 TTL门电路 §2.4 MOS门电路 §2.5 集成门电路使用中的实际问题;正逻辑：高电位VH对应“1”；低电位VL对应“0” 负逻辑：高电位VH对应“0”；低电位VL对应“1”;RL;UI;0;饱和区： ;§2.2 分立元件门电路 ;0 0 0;二、二极管或门;0 0 0;F;逻辑式：;R1;1. 体积大、工作不可靠。;§2.3 TTL门;目前数字系统中普遍使用TTL和CMOS集成电路。 TTL集成电路工作速度高、 驱动能力强，但功耗大、集成度低；MOS集成电路集成度高、功耗低。超大规模集成电路基本上都是MOS集成电路，其缺点是工作速度略低。目前已生产了BiCMOS器件，它由双极型晶体管电路和MOS型集成电路构成，能够充分发挥两种电路的优势， 缺点是制造工艺复杂。;小规模集成电路(SSI-Small Scale Integration)， 每片组件内包含10~100个元件(或10~20个等效门)。  中规模集成电路(MSI-Medium Scale Integration)，每片组件内含100~1000个元件(或20~100个等效门)。  大规模集成电路(LSI-Large Scale Integration)， 每片组件内含1000~100 000个元件(或100~1000个等效门)。 超大规模集成电路(VLSI-Very Large Scale Integration)， 每片组件内含100 000个元件(或1000个以上等效门)。 ; 目前常用的逻辑门和触发器属于SSI， 常用的译码器、 数据选择器、 加法器、 计数器、 移位寄存器等组件属于MSI。 常见的LSI、 VLSI有只读存储器、 随机存取存储器、 微处理器、 单片微处理机、 位片式微处理器、 高速乘法累加器、 通用和专用数字信号处理器等。 此外还有专用集成电路ASIC， 它分标准单元、 门阵列和可编程逻辑器件PLD。 PLD是近十几年来迅速发展的新型数字器件， 目前应用十分广泛。;笼尚啤风奠嫁然焉姐愚网膜颅涕牌辐袒咖辫界设塔阐邪呢娶粟啃觅彩忌稿第2章 电路课件第2章 电路课件;二、TTL反相器;1、 输入为高电平(3.6 V)  当输入端为高电平平3.6V时，由于T1的基极电压Ub1最多不能超过2.1V(Ub1=Ubc1+Ube2+Ube3)，所以T1的发射结反偏，T1的集电结正偏，T1管的基极电流Ib1流向集电极并注入T2的基极， ;此时T1是处于倒置放大状态(把实际的集电极用作发射极，而实际的发射极用作集电极)，其电流放大系数β反很小(β反＜0.05)，因此Ib2=Ic1=(1+β反)Ib1≈Ib1，由于Ib1较大足以使T2管饱和，且T2管发射极向T3管提供基流，使T3也饱和，这时T2的集电极压降为 ;2. 输入端为低电位(0.3 V) 当输入端为低电位(0.3V)时，T1的发射结正偏，T1的基极电位Ub1被钳在1V，此时T1的基极电流Ib1经过导通的发射结流向低电位输入端，而T2的基极只可能有很小的反向基极电流进入T1的集电极，所以Ic1≈0，但T1的基流Ib1很大， 因此这时T1处于深饱和状态： ;综上所述，当输入端为高电平(3.6V)时，输出为低电平(0.3V)，这时T3饱和，电路处于开门状态；当输入端为低电平(0.3 V)时，输出为高电平(3.6 V)，这时T3截止，电路处于关门状态。 由此可见，电路的输出和输入之间满足与非逻辑关系： ;三、 TTL集成逻辑门 ;多射极晶体管的结构及其等效电路 ;2、TTL与非门的电压传输特性;TTL与非门的电压传输特性曲线 ;CD段(转折区)：1.1V≤UI＜1.4V，当UI略大于1.1V时，T3开始导通，此时T2发射极到地的等效电阻为Re2∥Rbe3，比T3截止时的Re2小得多，因而T2放大倍数增加，近似为-Re2/(Re2∥Rbe3)， 因此Uc2迅速下降，输出电压UO也迅速下降，最后T4、D截止， T3进入饱和状态。; 从电压传输特性可以得出以下几个重要参数：  ① 输出高电平UOH和输出低电平UOL。  电压传输特性的截止区的输出电压UOH=3.6V，饱和区的输出电压UOL=0.3V。一般产品规定UOH≥2.4V、UOL＜0.4V时即为合格。  ② 阈值电压UT。  阈值电压也称门槛电压。电压传输特性上转折区中点所对应的输入电压UT≈1.3V，可以将UT看成与非门导通(输出低电平)和截止(输出高电平)的分界线。 ;Uon;④ 噪声容限UNL、UNH：实际应用中，由于外界干扰、电源