第5章第二节课件.pptVIP

5.3 热释电器件 ;5.3.1 热释电器件的基本工作原理 ; 对于一般的电介质，在电场除去后极化状态随即消失，带电粒子又恢复原来状态。而有一类称作为“铁电体”的电介质在外加电场除去后仍保持着极化状态，称其为“自发极化”。图所示为一般的电介质与铁电体电介质的极化曲线。一般的电介质的极化曲线通过中心，而铁电体极化曲线在电场去除后仍保持一定的极化强度。 ;在居里点以下，极化强度PS是温度T的函数。利用这一关系制造的热敏探测器称为热释电器件。 当红外辐射照射到已经极化的铁电体薄片时，引起薄片温度升高，表面电荷减少，相当于热“释放”了部分电荷。释放的电荷可用放大器转变成电压输出。; (5-34) ;2. 热释电器件的工作原理 ;式中dT/dt为热释电晶体的温度随时间的变化率，温度变化速率与材料的吸收率和热容有关，吸收率大，热容小， 则温度变化率大。 通常热释电器件的电极按照性能的不同要求做成如图5-16所示的面电极和边电极两种结构。面电极结构中，电极置于热释电晶体的前后表面上, 其中一个电极位于光敏面内。 这种电极结构的电极面积较大，极间距离较少，因而极间电容较大，故其不适于高速应用。此外，由于辐射要通过电极层才能到达晶体，所以电极对于待测的辐射波段必须透明。边电极结构中，电极所在的平面与光敏面互相垂直，电极间距较大，电极面积较小，因此极间电容较小。由于热释电器件的响应速度受极间电容的限制，因此，在高速运用时以极间电容小的边电极为宜。 ;热释电器件产生的热释电流在负载电阻RL上产生的电压为 ;这里，R(=Rs//RL)和C(=Cs+CL)分别为热释电器件和放大器的等效电阻和等效电容。则RL的模值为 ;由热平衡温度方程（参见5-7节）可知 ;(5－46) ;5.3.3 热释电器件的噪声 ;热噪声电压为 ;3. 温度噪声 ;考虑统计平均值时的信噪功率比为;4 响应时间 ; 如图5-19所示为常用的电路。图中用JFET构成源极跟随器，进行阻抗变换。 ;2. 铌酸锶钡 (SBN) 热释电器件 ;3. 钽酸锂（LiTaO3） ;4. 压电陶瓷热释电器件 ;5. 聚合物热释电器件 ; 近年来发展了快速热释电器件。快速热释电器件一般都设计成同轴结构，将光敏元置于阻抗为50Ω的同轴线的一端，采用面电极结构时，时间常数可达到1ns左右，采用边电极结构时，时间常数可降至几个ps。图5-21所示为一种快速热释电探测器的结构原理图。光敏元件是SBN晶体薄片，采用边电极结构，电极Au的厚度为0.1μm，衬底采用Al2O3或BeO陶瓷等导热良好的材料。输出用SMA/BNC高频接头。这种结构的热释电探测器的响应时间为3ps，;5.3.5 典型热释电器件 ; 为防止压电谐振，常采用如下方法：（1）选用声频损耗大的材料，如SBN，在很高的频率下没有发现谐振现象；（2）选取压电效应最小的取向；（3）探测器件要牢靠地固定在底板上；例如可用环氧树脂将LiTaO3粘贴在玻璃板上，再封装成管，会有效地消除谐振；（4）热释电器件在使用时，一定要注意防震。显然，前两种方法限制了器件的选材范围，第3种方法降低了响应度和比探测率。 为了提高热电器件的灵敏度和信噪比，常把热释电器件与前置放大器（常为场效应管）做在一个管壳内。如图5-23所示为一种典型的热释电探测器与场效应管放大器组合在一起的结构图。由于热释电器件本身的阻抗高达1010~1012Ω，因此场效应管的输入阻抗应高于1010Ω，而且应采用具有较低噪声，较高跨导??gm2 000）的场效应管作为前置放大器。引线要尽可能的短，最好将场效应管的栅极直接焊接到器件的一个管脚上，并一同封装在金属屏蔽壳内。 ;带有场效应管放大器的热释电器件的等效电路如图5-24所示。其等效输出阻抗Z、电流和电压灵敏度等参数如5.3.2节所讨论，与工作频率等参数有关。 ;思考题与习题 5 ; 5.8 某热电传感器的探测面积为5mm2，吸收系数α=0.8，试计算该热电传感器在室温300k与低温280k时1Hz带宽的最小探测功率PNE、比探测率与热导G。 5.16 如果热探测器的热容H=10-7J·K-1，试求在T=300K时热探测器的热时间常数τT。（假定热探测器只通过辐射与周围环境交换能量）。 5.17 如果热探测器的光敏面积Ad＝1mm2，试求在热探测器温度分别为77K和300K条件下本振光所产生的散粒噪声等于热噪声时的本振光功率。 5.18 已知TGS热释电探测器的面积Ad＝4mm2，厚度d为0.1mm，体积比热c’为1.67J·cm-3·K-1， 若视其为黑体，求T