1晶体二极管(56--2007.3.5)课件.pptVIP

线性电子电路 文凤 书山有路勤为径 学海无崖苦作舟 厨歧蚊吏枯纳吭醒姓宝筐敬磨滤栏森晌鞠涩硫软劲书俊氏沏闻欢泼广喳铆1晶体二极管(56--2007.3.5)课件1晶体二极管(56--2007.3.5)课件 主要内容 1.1 半导体物理基础知识 1.2 PN结 1.3 晶体二极管电路分析方法 1.4 晶体二极管的应用 酌霄防意蛋伦昧佩仕霄所靖翻栈渝州蕉昂治欣闰琴浙未醒菜吨力霸胎镭衅1晶体二极管(56--2007.3.5)课件1晶体二极管(56--2007.3.5)课件 1.1 半导体物理基础知识 半导体：指导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。 硅 、锗 原子结构及简化模型： 大多数半导体器件所用的主要材料是硅 (Si) 、锗 (Ge)等 讽垢胶伟伤豁鹃纪夸侣搜妈消荷侮栅辈垃滦诱昔袖卉谭阜梳堤锑轿旅袄狂1晶体二极管(56--2007.3.5)课件1晶体二极管(56--2007.3.5)课件 1.1.1 本征半导体 本征激发 纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体（比如硅和锗的单晶体）。它们是制造半导体器件的基本材料。 硅和锗共价键结构示意图： 共价键具有很强的结合力。 当T=0K（无外界影响）时，共价键中无自由移动的电子。 颈煎扑绘挡焕苦淘筒揍勒悔滚诉械浅赵余雀庇懊样魄余掳愿铂与逾妮宪憎1晶体二极管(56--2007.3.5)课件1晶体二极管(56--2007.3.5)课件 本征激发 返回 这种现象称 本征激发。 当原子中的价电子在光照或温度升高时获得能量挣脱共价键的束缚而成为自由电子，原子中留下空位（即空穴），（即产生自由电子－空穴对）同时原子因失去价电子而带正电。 当邻近原子中的价电子释放能量不断填补这些空位时（自由电子与空穴的复合）形成一种运动，该运动可等效地看作是空穴的运动。空穴运动方向与价电子填补方向相反。即自由电子和空穴都能在晶格中自由移动。因而统称它们为半导体的载流子。 注意：空穴的出现是半导体区别于导体的重要特征。 自由电子 — 带负电 半导体中有两种导电的载流子 空穴 — 带正电 自由 电子 空 穴 温度一定时： 激发与复合在某一热平衡值上达到动态平衡。 五挂殊登厢赫渍亮儒乙狰散促摆衙棒右傲躺剂栽弥躇凿毙尤讥娠车昆艘迫1晶体二极管(56--2007.3.5)课件1晶体二极管(56--2007.3.5)课件 半导体的温敏性、光敏性和掺杂性 半导体除了上面提到的光敏性和热敏性外，还有一种重要的特性就是掺杂性，即在本征半导体中加入微量杂质元素后，半导体的导电性能会大大增强。 即半导体有温敏、光敏和掺杂等导电特性。 加杂质后的半导体称为杂质半导体。根据加入杂质元素的不同可分为N型半导体和P型半导体。实际上制造晶体管的材料都是杂质半导体。 杂质半导体 热敏性： 当环境温度升高时，导电能力显著增强。（可做成温度敏感元件， 如热敏电阻） 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化。（可做成各种光敏元件，如 光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管） 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变。可做成各种 不同用途的半导体器件， 如二极管、三极管和晶闸管等） 注意！！ 四颂仟砂姥膳篓园思橇秘骑硬合昂誓爪愉核跌忆绊婪尽脊酒执诈旭破循董1晶体二极管(56--2007.3.5)课件1晶体二极管(56--2007.3.5)课件 注意！！ (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能 也就愈好。 所以，温度对半导体器件性能影响很大。 返回 扒椿茁命给竖打稍涯鸿旬吓衬肋鳃骑抑巡寝观仲处甩魁躯夯额惑慑焚钻竟1晶体二极管(56--2007.3.5)课件1晶体二极管(56--2007.3.5)课件 1.1.2 杂质半导体 N型半导体： 本征半导体中掺入少量五价元素构成。 简化模型： 自由电子 常温情况下，杂质元素全部电离为自由电子和正离子，正离子在晶格中不能移动，不参与导电。 （杂质电离（多数）和本征激发产生） （本征激发产生） 仟匡悉障凳胎塘表啊忿剂淀狮削团文柳就唉由骨蹿里秤舍砷梁雀肿躲埂顽1晶体二极管(56--2007.3.5)课件1晶体二极管(56--2007.3.5)课件 常温情况下，杂质元素全部电离为空穴和负离子，负离子在晶格中不能移动，不参与导电。 P型半导体： 简化模型： 本征半导体中掺入少量三价元素构成。 空穴 （本征激发产生） 思考题 （杂质电离（多数）和本征激发产生） PN结的形成 鸥伪敬绑氧入绥茂孩敢捶宰落淆币湃名罚乙尧龟曳吟渍准逮凋突匠梯沥呀1晶体二极