51480CMOS工艺流程与MOS电路版图举例4.pptVIP

该图的说明 a 沟道长度 3λ b GS/GD覆盖λ c p+，n+最小宽度3λ d p+，n+最小间距3λ e p阱与n+区间距2λ f 孔距扩散区最小间距 2λ g Al覆盖孔λ 孔 2λ× 3λ或 3λ× 3λ h Al栅跨越p+环λ i Al最小宽度4λ j Al最小间距3λ 2) 铝栅、硅栅MOS器件的版图 Source/Drain: Photomask (dark field) Gate: Photomask (dark field) Contacts: Photomask (dark field) Metal Interconnects: Photomask (light field) 硅栅硅栅MOS器件工艺的流程Process (1)刻有源区 Process (2)刻多晶硅与自对准掺杂 Process (3)刻接触孔、反刻铝 制备耗尽型MOS管 在MOS集成电路中，有些设计需要采用耗尽型MOS管，这样在MOS工艺过程中必须加一块光刻掩膜版，其目的是使非耗尽型MOS管部分的光刻胶不易被刻蚀，然后通过离子注入和退火、再分布工艺，改变耗尽型MOS管区有源区的表面浓度，使MOS管不需要栅电压就可以开启工作。 然后采用干氧－湿氧－干氧的方法进行场氧制备，其目的是使除有源区部分之外的硅表面生长一层较厚的SiO2层，防止寄生MOS管的形成。 硅栅P阱CMOS反相器版图设计举例 5) P阱硅栅单层铝布线CMOS的工艺过程 下面以光刻掩膜版为基准，先描述一个P阱硅栅单层铝布线CMOS集成电路的工艺过程的主要步骤，用以说明如何在CMOS工艺线上制造CMOS集成电路。（见教材第7--9页，图1.12） CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例 1、光刻I---阱区光刻，刻出阱区注入孔 2、阱区注入及推进，形成阱区 3、去除SiO2，长薄氧，长Si3N4 * p+ Al 1 n+ 硅栅MOS器件 铝栅MOS器件 Clear Glass Chromium Cross Section 铝栅MOS工艺掩膜版的说明 Clear Glass Chromium Cross Section Clear Glass Chromium Cross Section Chromium Clear Glass Cross Section 正胶 Self-Align Doping field oxide (FOX) metal-poly insulator thin oxide 3) 铝栅工艺CMOS反相器版图举例 图2为铝栅CMOS反相器版图示意图。可见，为了防止寄生沟道以及p管、n管的相互影响，采用了保护环或隔离环：对n沟器件用p+环包围起来， p沟器件用n+环隔离开，p+、n+环都以反偏形式接到地和电源上，消除两种沟道间漏电的可能。 图2 铝栅CMOS反相器版图示意图 版图分解： 刻P阱 2. 刻P+区/保护环 3. 刻n+区/保护带 4. 刻栅、预刻接触孔 5. 刻接触孔 6. 刻Al 7. 刻纯化孔 P+区保护环 n+区/保护带 3 版图分解： 1. 刻P阱 2. 刻P+区/环 3. 刻n+区 4. 刻栅、预刻接触孔 5. 刻接触孔 6. 刻Al 7. 刻纯化孔 4 版图分解： 1. 刻P阱 2. 刻P+区/环 3. 刻n+区 4. 刻栅、预刻接触孔 5. 刻接触孔 6. 刻Al 7. 刻纯化孔 4) 硅栅MOS版图举例 E/E NMOS反相器 ?刻有源区 ? 刻多晶硅栅 ?刻NMOS管S、D ?刻接触孔 ? 反刻Al 图5 E/E NMOS反相器版图示意图 E/D NMOS 反相器 刻有源区 刻耗尽注入区 刻多晶硅栅 刻NMOS管S、D 刻接触孔 反刻Al 图6 E/D NMOS 反相器版图 硅栅CMOS与非门版图举例 刻P阱 刻p+环 刻n+环 刻有源区 刻多晶硅栅 刻PMOS管S、D 刻NMOS管S、D 刻接触孔 反刻Al 图7 硅栅CMOS与非门版图 8 5. 刻NMOS管S、D 6. 刻接触孔 7. 反刻Al (W/L)p=3(W/L)n 1. 刻P阱 2. 刻有源区 3. 刻多晶硅栅 4. 刻PMOS管S、D 1. 刻P阱 2. 刻有源区 3. 刻多晶硅栅 4. 刻PMOS管S、D 5. 刻NMOS管S、D VDD Vo Vi Vss 7. 反刻Al 6. 刻接触孔 VDD Vi Vss V