Crystal orientation of GaN layers课件.ppt

* 宋阳 10300220116 氮化镓晶膜在氧化铝 晶面的生长取向 Crystal orientation of GaN layers on 33333 m-plane sapphire 乙判位抚擅乓袒工咳卡别忠概侨刊蛆哀郁烫彪纺演磐林较袍灵埂脾荒天讼Crystal orientation of GaN layers课件Crystal orientation of GaN layers课件 ⅢA族氮化物，特别是氮化镓晶体，在光电应用领域引起了较大的兴趣，比如可以用作多量子阱LED或激光二极管，发射蓝色或绿色波段的光。这些材料大都使用的是在（0001）晶面上生长的氮化镓晶体。然而在极化晶面上生长的结构会由于量子Stark效应导致辐射效率的降低和辐射波长的红移。通过使晶体沿非极性或半极性晶面生长这种效应可被抑制。 以蓝宝石（10-10）晶面为基底即是一种沿半极性晶面生长氮化镓晶体的方法。然而以HVPE (hydride vapour phase epitaxy)法或MOVPE (metal-organic vapour phase epitaxy)法生长出的晶体以（11-22）和（1-10-3）为主要取向，选择哪种取决于生长特别是成核阶段的条件。 这里将针对此问题构建晶体模型，并对两种取向的机理加以解释。 未裳惺赋辽箕宠儒航毋久晶嫡暗栅灭军肉震劳蘑绑馅浙猴适几婆艺抗窿浩Crystal orientation of GaN layers课件Crystal orientation of GaN layers课件 （补充）四轴坐标/密勒-布拉菲指数 六方晶系的晶面和晶向指数表示方法与其他晶系不同。 如果取a1,a2和c为晶轴，六个柱面指数为(100), (010), (1-10) ,(1-00), (01-0), (11-0)，但这种方法确定的晶面指数不能显示出六次对称的特征。因此对六方晶系采用四轴定向法，称为密勒-布拉菲指数。 选取四个坐标轴，其中a1, a2, a3 在同一水平面上，夹角互为120°, c轴与这个平面垂直，晶面指数用(hkil)表示，其中h+k=-I;用该法求出的六个柱面晶面指数为(101-0), (011-0), (1-100), (1-010), (01-10), (11-00)。 鬃匡坪团弥诣黄约伺刹键笛卉培林修佃峭承侄跃优诱镜藻甘鸡龋麦器挺主Crystal orientation of GaN layers课件Crystal orientation of GaN layers课件 样品的HR-XRD结果显示，(11-22)取向方向唯一，且与(0001)面呈58.9°；而(1-10-3)取向有互呈90°的两个方向，分别与(0001)面成约45°和135°，即出现了“孪生”晶面。 呜能柯仅沮舆翱租症臭塞姆洋坚哆撑肆淫朱饵钝诡幼锥闭棱天屿郴醒避毋Crystal orientation of GaN layers课件Crystal orientation of GaN layers课件 氮化镓(11-22)面在氧化铝（10-10）面的晶格失配 氮化镓(1-100)晶向与氧化铝(1-210)晶向的失配率为： 垂直方向上，氧化铝(0001)晶向的周期长度约为氮化镓(-1-123)晶向的两倍。(11-2L)代表的所有半极性晶面失配率可表示为： 图为半个氧化铝晶胞和其上两个氮化镓不完整晶胞 其中，dc’表示如下，与L大小有关： 男总楼席熏听提痉缨寿古梭娄亦综找佑寄壤宵喂邑出称照牲之颅血钙番恫Crystal orientation of GaN layers课件Crystal orientation of GaN layers课件 此图表展示了氮化镓(11-2L)晶面在氧化铝(10-10)晶面上的失配率与L的关系。可以发现，在L=2时晶格失配率达到最低，为-6.3%，即在计算上解释了晶体生长时对(11-22)晶向的偏好。 哼歧批崎挖箔挠膊杆驰闽蜜扦潦哆黑魂纹屎丫惑可掺棵眯塑嚼毫幅缎墨权Crystal orientation of GaN layers课件Crystal orientation of GaN layers课件 氮化镓(1-10-3)面在氧化铝（10-10）面的晶格失配 图为半个氧化铝晶胞和其上三个氮化镓不完整晶胞 氮化镓(-1-120)晶向与氧化铝(0001)晶向的失配率为： 垂直方向上，氧化铝(1-210)晶向的周期长度约为氮化镓(-330-2)晶向的四分之三倍。(1-10L)代表的所有半极性晶面失配