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离子辅助沉积法制备SiO2介质薄膜的应力研究张金胜
33 12 Vol. 33 No. 12
第 卷 第 期 发 光 学 报
2012 12 Dec． ，2012
年 月 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
文章编号:1000-7032 (2012)12-1304-05
离子辅助沉积法制备SiO2 介质薄膜的应力研究
1 ，2 1 1*
， ，
张金胜 张金龙 宁永强
(1． ， 130033 ;
发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 吉林长春
2 ． ， 100039)
中国科学院大学 北京
摘要: ， 、 、 SiO
在高功率垂直腔面发射激光器制作工艺中 生长出低应力 高质量 高稳定性的 2 介质层非常关
。 LaB ， ， GaAs SiO ，
键 我们使用高效率 6 离子源辅助 在低放电电流条件下 在 衬底上沉积了 2 并对退火的应力
。 ， 、 ，
影响进行了测试 在有离子辅助沉积时 对不同生长速率 不同厚度的应力影响进行了研究 对沉积过程进
。 : SiO ，
行了分析 结果表明 离子辅助沉积的 2 薄膜的应力远小于常规工艺条件下沉积的薄膜的应力 且退火后
应力变化小。
: ;SiO ; ;
关 键 词 离子辅助沉积 2 薄膜 应力 退火
中图分类号:O484 文献标识码:A DOI :10 ． 3788 / fgx． 1304
Study of SiO2 Dielectric Film Stress Grown
by The Method of Ion Assisted Deposition
ZHANG Jin-sheng1，2 ，ZHANG Jin-long1 ，NING Yong-qiang1*
(1． State Key Laboratory of Luminescence and App lications ，Changchun Institute of Op tics ，
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