第四讲 薄膜制备方法.pptVIP

薄膜沉积的两种常用方法 物理气相沉积－－PVD （Physical Vapor Deposition） 化学气相沉积－－CVD （Chemical Vapor Deposition） 物理气相沉积--PVD（Physical Vapor Deposition） PVD顾名思义是利用某种物理过程，如物质的热蒸发或在受到粒子轰击时物质表面原子的溅射等现象，实现物质原子从源物质到薄膜的可控转移的过程。 物理气相沉积--PVD（Physical Vapor Deposition） PVD过程可概括为三个阶段： 从源材料中发射出粒子； 粒子输运到基片； 粒子在基片上凝结、成核、长大、成膜。 最常見的PVD方法 蒸发(Evaporation) 蒸发(Evaporation) 蒸发(Evaporation) 蒸发(Evaporation) 溅射(Sputtering) 溅射(Sputtering) 一、基本原理： 溅射：荷能粒子轰击固体表面（靶），而使固体的原子或分子射出的现象称为“溅射”。 （固体表面在入射粒子的高速碰撞下，放射出中性原子或分子这是薄膜淀积的基本条件。） 基本原理：利用气体放电、等离子体中产生的离子轰击镀料靶的表面，产生溅射现象，使靶表面的原子或分子被碰撞飞出。飞出的原子或分子沉积在与靶对向放置的基板上形成薄膜。 二、溅射过程 溅射过程包括靶的溅射、逸出粒子的形态、溅射粒子向基片的迁移和在基片上成膜的过程。 溅射的过程是建立在气体辉光放电的基础上的。 直流辉光放电的形成过程： 溅射电压U，电流密度j和气压P遵守以下关式： U=E+Fj/P E和F取决于电极材料，几何尺寸和气体成分常数。 在达到异常辉光放电区后，继续增大电压，一方面更多的正离子轰击阴极而产生大量电子发射，另一方面因阴极强电场使暗区收缩。可以由下式描述： Pdc=A+BF/(U-E) dc为暗区厚度，A.B为常数。 当电流密度达到0.1A/平方厘米 时，电压开始急剧降低，出现低压大电流弧光放电，这在溅射过程中力求避免。上图中UB为击穿电压，它取决于气压P和电极间的距离d，气压太低或距离太小均会使辉光放电熄灭，这是因为没有足够的气体分子被碰撞产生离子和二次电子，气压太高二次电子因多次碰撞而得不到加速，也不能产生辉光放电。 基片的放置 在实际溅射镀膜中，基片通常置于负辉光区作为阳极使用. 阴极和基片的距离至少是克鲁克斯暗区的3-4倍 靶材的溅射过程 伴随着粒子轰击的各种现象，如下图示： 溅射理论的解释 动量理论 动量理论：溅射是轰击粒子与靶粒之间动量的传递。即粒子撞击在靶上把一部分动量传递给原子，如果粒子获得的动能大于它的结合能，那么它就能脱离点阵而射出。 溅射参数 溅射阈值 溅射率 溅射粒子的速度 溅射粒子的能量 溅射速率和沉积率 溅射阈值:将靶材原料溅射出来所需的入射离子的最小能量值. 溅射阈值与入射离子的质量无明显依赖关系系,与靶材有很大的关系. 溅射阈值随靶材原子序数增加而减小 溅射率:入射正离子轰击靶阴极时，平均每个正离子能从靶阴极中打出的原子数，又称溅射产额或溅射系数. （ 溅射率一般随靶材的原子序数增加而增大，元素相同结构不同的靶材具有不同溅射率 ） 多晶材料的溅射率： 溅射率的影响因素： 与入射离子的种类、能量、角度以及靶材的种类、结构等有关。 入射离子能量超过阈值后，在150eV以前，溅射率与入射离子能量的平方成正比，150-10KeV，变化不明显，10KeV，溅射率将成下降趋势 溅射率随与入射角有关 溅射原子能量和速度的特点: 1.原子序数大的溅射原子溅射逸出时能量较高,原子序数小的溅射原子溅射逸出时的速度较快 2.溅射原子逸出的能量随入射离子的质量线形增加 3.溅射原子平均逸出的能量随入射离子能量增大而增大,但达到某一较高值时,平均逸出能量趋于恒定 溅射速率和沉积率 靶材迁移涉及到三个过程：即靶材表面的溅射，由靶材表面到基板表面的扩散，基板表面的沉积。三个对应的速率分别是： 溅