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等离子体刻蚀工艺的物理基础戴忠玲
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戴忠玲 毛 明 王友年
( 116024)
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The phy sics of p lasm a etching
DA IZhong-Ling MAO M ing WANG ou-N ian†
(S tateK ey Labora tory of M a teria lsM od if ica tion by La ser, E lectron, and Ion Beam s, D epartmen t of Phy sics,
Da lian Un iversity of Technology, D a lian 116024, Ch ina )
A b stract The background and progress in the development ofplasma etching processes are reviewed. Studies
of themechanism of capacitively - and inductively - coupled discharges are discussed, especially the key prob-
lemsof dual frequency capacitively - coupled discharge and plasma sheaths.
K eyw ords plasma, etching, capacitively-coupled discharge, inductively-coupled discharge, dual frequency,
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