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2、共价键性质 3、电子与空穴 空穴的移动 空穴的移动 N型半导体的结构示意图如图所示： P型半导体的结构示意图如图所示： 3.2.5 PN结的电容效应 (2) 势垒电容CB 是由 PN 结的空间电荷区变化形成的。 空间电荷区的正负离子数目发生变化，如同电容的放电和充电过程。 势垒电容的大小可用下式表示： 　　由于 PN 结 宽度 l 随外加电压 U 而变化，因此势垒电容 Cb不是一个常数。 ? ：半导体材料的介电比系数； S ：结面积； l ：耗尽层宽度。 3.2.5 PN结的电容效应 　　PN 结总的结电容 Cj 包括势垒电容 Cb 和扩散电容 Cd 两部分。一般来说，当二极管正向偏置时，扩散电容起主要作用，即可以认为 Cj ? Cd；当反向偏置时，势垒电容起主要作用，可以认为 Cj ? Cb。 　　Cb 和 Cd 值都很小，通常为几个皮法-几十皮法，有些结面积大的二极管可达几百皮法。PN结的电容效应直接影响半导体器件的高频和开关性能。 综上所述： end 3.3 半导体二极管 3.3.1 半导体二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数 3.3.1 半导体二极管的结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型二大类。 (1) 点接触型二极管 (a)点接触型 二极管的结构示意图 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 （a）面接触型 （b）集成电路中的平面型 （c）代表符号 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 往往用于集成电路制造工 艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 半导体二极管图片 3.3.2 二极管的伏安特性 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 锗二极管2AP15的V-I 特性 硅二极管2CP10的V-I 特性 3.3.2 二极管的伏安特性 锗二极管2AP15的V-I 特性 硅二极管的死区电压Vth=0.5 V左右， 锗二极管的死区电压Vth=0.1 V左右。 当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。 当V＞0即处于正向特性区域。正向区又分为两段： 当V＞Vth时，开始出现正向 电流，并按指数规律增长。 3.3.2 二极管的伏安特性 锗二极管2AP15的V-I 特性 当V＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域： 当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压 。 3.3.3 二极管的主要参数 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM 二极管反向电流 急剧增加时对应的反向 电压值称为反向击穿 电压VBR。 为安全计，在实际 工作时，最大反向工作电压 VRM一般只按反向击穿电压 VBR的一半计算。 二极管长期连续工 作时，允许通过二 极管的最大整流 电流的平均值。 3.3.3 二极管的主要参数 (3) 反向电流IR 在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 (4) 正向压降VF 在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。 (5) 极间电容CJ（CB、 CD ） 3.4 二极管基本电路及其分析方法 二极管是一种非线性器件，因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法，这里介绍图解法和简化模型分析法。 例3.4.1 电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 解：由电路的KVL方程，可得 即 是一条斜率为-1/R的直线，称为负载线 Q的坐标值（VD，ID）即为所求。Q点称为电路的工作点 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 图解分析法简单直观，对理解电路的工作原理和相关重要概念很有帮助，但前提条件是已知二极管的V -I 特性曲线，这在实际应用电路中，是不现实的。 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 1.二极管V-I 特性的建模 将指数模型 分段线性化，得到二极管特性的等效模型。 （1）理想模型 （a）V-I特性 （b）代表符号 （c）正向偏置时的电路模型 （d）反向偏置时的电路模型