第3章 电荷耦合器.ppt

第3章 电荷耦合器件 Charge Coupled Device—CCD 新型智能传感器 第一节 CCD的物理基础 新型智能传感器 　具有以下一些特点： 一、稳态情况MOS结构的物理性质 1.多数载流子堆积状况 2.多数载流子耗尽状况 3.载流子反型状态 凤飞飞 从电路看，表面势VS为 4.行间转移CCD结构 二、典型的CCD器件及其驱动 TCD142D型CCD 性能参数： 1、象素(象元)：2048位线阵 2、相数：二相 3、像元尺寸： 14?m，光敏阵列总长28672?m 4、引脚： ?1A 、?2A 、?1B 、?2B均为时钟端、?SH为移动栅、 ?RS 为复位栅,OS为移动栅、DOS为补偿输出端、OD为电源端、 SS为接地端、NC空闲。 5、像元结构： 2110个光敏像元阵列,62个哑元（前51个、后 11个)双沟道。 1、?SH为同步脉冲，B时段，光敏区与移位寄存器之间的势阱沟通，信号电荷转移至?l 电极下。 2、C时段，隔离光敏区与移位寄存器之间的势阱沟通。 3、随后，?l 与?2交替变化，信号电荷顺序转移，经由OS引脚输出。 4、输出：12个虚设脉冲（结构上的原因）→ 51个暗电流脉冲 → 2048个信号脉冲 → 11个暗电流脉冲（共12+51+2048+11=2122个脉冲） → 多余无信号脉冲。 5、该器件是两列并行传输，在一个?SH 周期中至少要有1061个?1脉冲，即TSH1061T1。 6、 ?RS复位一次输出一个光电信号。 DOS端是补偿输出单元的输出端，用于检取驱动脉冲 对输出电路的容性干扰信号，若将OS和 DOS分别送到差分放大器的两个输入端，则在输出端将得到被放大的没有驱动脉冲干扰的光电信号。 TCD142D驱动电路 TCD142D驱动电路 第四节 CCD在测量中的应用 一、尺寸测量 测量精度 外径：±0.1mm 壁厚：±0.05mm 设计思想 设计指标 玻璃管平均外径：?12mm 壁厚：1.2mm 则： d1 = n1·t / ? d2 = n2·t / ? D = N·t / ? 光学参数计算 设： 象元尺寸：t 上壁厚：d1 ，脉冲数n1 下壁厚： d2 ，脉冲数n2 外径尺寸：D，脉冲数N 玻璃管的像大小为：9.6mm 物镜放大率：? 选择远心光路的放大率?为0.8倍，则：玻璃管的像大小为：9.6mm 外径及壁厚测量精度要求反应在像面上为：?0.08mm及?0.04mm 根据CCD测量灵敏度的需要，0.04mm要大于2个 CCD光敏像素的空间尺寸，选择TCD132D（光敏区长1024×14μm=14.336mm）。 注意： 二、位移测量 设计思想 （……） 设计指标： 最大电动程：3mm 最小微位移：?0.004mm 测量仪器设计确定： 测量范围：0～3.5mm 灵敏度：≥?0.003mm 测量误差：?0.1? 非接触在线测量 式中：N为M1—M2之间的象素数量。 L = (LBa’ - LBa) + 0.5 ? (Wa’b’ - Wab) L = (NL - NL’) + 0.5 ? (NW - NW’) 分析 设：放大系数? CCD面上光强凹陷移动L，则：顶杆的电动程 x = L / ? 又设CCD单元象素宽度为t, 则： L = N·t 新型智能传感器 电荷耦合器件 * 　第一节 CCD的物理基础 第二节 CCD工作原理 第三节 CCD器件 第四节 CCD的应用 电荷耦合器件 　　 电荷耦合器件（Charge Coupled Device—CCD）是按照一定规律排列的 MOS电容器阵列组成的移位寄存器，在MOS电容器阵列加上输入、输出端，便构成了CCD。 p-Si VG SiO2 金属 1200- 1500A 可以实现光电转换、信号储存、转移(传输)、输出、处理以及电子快门等一系列功能。 电荷耦合器件 一般特性：体积小、重量轻、功耗低、可靠性高、寿命长。 分辨率高：线阵7000Pixel、分辨能力7?m，面阵4096×4096，整机分辨能力1000线以上。 兼容性：任选模拟、数字输出形式，与同步信号、　　　I/O接口及微机兼容，组成高性能系统。 光电特性：灵敏度高、动态范围大。灵敏度0.01Lx，动态范围106：1，信噪比60～70dB。 分类：线阵和面阵器件。 新型智能传感器 电荷耦合器件 p-Si VG p-Si VG VG = 0 新型智能传感器 电荷耦合器件 多数载流子堆积状态 1、VG＜0。