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浙江泰康电子有限公司企业标准 Q/AVU2.J041-2007 电子器件检验细则 2007-3-20发布 2007-3-20实施 　　　浙江泰康电子有限公司发布 电子器件检验细则 Q/AVU2.J041-2007 总则及范围 　　　　本检验细则根据我公司的具体情况而编制，适用于所有电子产品有源器件的初检（入库检验）和老化试验后的复测。未经检测或不合格品严禁入库、发放和组装。 外观质量 2.1器件的型号、商标等表面标识应清晰可见。 2.2封装表面平滑、完整、引脚光亮，无缺损、氧化和绣蚀现象。 2.3外形、安装尺寸须符合封装标准。 3.测试条件 VF（M）和VCE（Sat）分别为二极管的（最大）正向导通压降和三极（MOS、IGBT、SCR）管的饱和导通压降，右侧为最大电流，要尽可能选择接近它的档位进行该项目检验。 4.老化试验 4.1电子器件初检合格后须进行高低温循环老化试验，时间总计8小时。 4.2低温试验温度为-40+5℃，高温试验温度为60+5℃，循环时间各为2小时。 4.3温度试验设备采用GDJS-100型高低温交变湿热试验箱。 5检验方案 采用GB/T2828.2-2003正常一次检验方案，接收质量限AQL＝0.40、检验水平IL＝11 图形封装 名称型号 检验项目 技术要求 检测手段 开关二极管 IN4148/4448 正向：VFM /450mA 反向击穿电压VBR ≤0.65V ≥100V JL294-3型晶体管直流参数测试表 整流二极管 IN4007，6A10 SJ56 RAGW P37 A4 G4.L G5B 2E29.105 GU 3-1 正向：VFM /1A，6A 反向击穿电压VBR 正向：VFM /1A，6A 反向击穿电压VBR 正向：VFM /1A，6A 反向击穿电压VBR 正向：VFM /1A，6A 反向击穿电压VBR 正向：VFM /1A，6A 反向击穿电压VBR 正向：VFM /1A，6A 反向击穿电压VBR 正向：VFM /1A，6A 反向击穿电压VBR 正向：VFM /0.5A， 反向击穿电压VBR 正向：VFM /0.5A 反向击穿电压VBR ≤0.7V ≥1400V ≤0.7V ≥600V ≤0.7V ≥180V ≤0.7V ≥180V 肖特基二极管 S4 4148 正向：VFM /2A 反向击穿电压VBR ≤0.3V ≥60V 快恢复二极管 ERA34-10 正向：VFM /100mA 反向击穿电压VBR ≤3.0V ≥1500V 快恢复对管 CTL12/22/32S 快恢复对管 FMXS/G/U-22S 08GS、A7、A4 A4t 正向：VFM /5/10/20A 反向击穿电压VBR 正向：VFM /8A 反向击穿电压VBR ≤0.5V ≥200V ≤0.45V 200/350/450V 快恢复二极管 DS（E）I60-10A 正向：VFM /60A 反向击穿电压VBR ≤0.6V ≥1500V 超快恢复二极管 Uo76 正向：VFM /300mA 反向击穿电压VBR ≤0.55V ≥1000V LED发光二极管 正向：VFM /10mA 反向击穿电压VBR 1.8/2.2/5/6V 图形封装 名称型号 检验项目 技术要求 检测手段 0.5W玻封稳压管 HZ3B1/2.8-3V C3V0/3V IN4689/5.1V IN4691/6.2V IN4702/15V IN4711/27V 正向导通压降VF 反向稳定电压VZ 测试电流：IZ＝5-10mA 0.6-0.7V 标称值±5％V 2.85-3.15V 4.85-5.35V 5.89-6.51V 14.2-15.7V 25.7-28.3V 稳压电源 专用测试台 1W玻封稳压管 IN4733A/5.1V IN4734A/5.6V IN4735A/6.2V IN4739A/9.1V IN4740A/10V IN4745A/16V IN4752A/33V CC09 7227 正向导通压降VF 反向稳定电压VZ 测试电流：IZ＝5-10mA 0.6-0.7V 标称值±5％V 4.85-5.35V 5.32-5.88V 5.89-6.51V 8.65-9.55V 9.5-10.5V 15.2-16.8V 31.4-34.6V 2DW231/0.2W 1、2脚有色点的为负，另一脚为