2010光源与光检测器的C4.ppt

第4章 通信用光器件;4.1发光器件的原理及特性; 发光机理; 发光机理; 发光机理; 发光机理;二．原子的能级;电子按量子态运动所遵循的包里不相容原理;三．晶体中的能带; 发光机理;四．价带和导带中能级的跃迁——光跃迁;自发辐射 处在导带Ei能级上的电子，按照一定的概率自发地跃迁到价带Ej能级上，并发射一个频率为f、能量为 的光子，这个过程称为光的自发辐射过程。; 发光机理;;受激辐射;受激辐射; 受激辐射发生的概率与感应光场的强度成正比 p(f) 为单位频率上的能量密度，B为比例系数。 特点： 有激励光场； 相干光； 光波长一样。;受激吸收; 受激吸收的概率与受激辐射的概率相同，当有光场存在时，受激吸收过程和受激辐射过程同时发生，哪个过程是主要的，取决于导带和价带上电子的分布。 导带上电子密度高于价带的电子密度时受激辐射是主要的。 ;激光的特点;一．激射条件 有源区里产生足够的粒子数反转分布 存在光学谐振腔，并在谐振腔里建立越稳定的振荡;有源区里产生足够的粒子数反转分布 1）半导体激光器是用直接带隙材料（光跃迁）做成的二极管。 2）激光二极管工作在正向偏置下。 注入正向电流，导带中的电子密度增加，发生自发辐射，发出光子，形成初始光场，受激辐射和受激吸收过程发生。 3）注入电流增加到一定值，使N2N1，受激辐射主导地位。 ; 受激辐射速率Rste=Wst*N2 受激吸收速率Rsta=Wst*N1 N2N1，受激辐射主导地位，光场波迅速增强，此时的PN结区成为对光场有放大作用的区域，从而形成激光发射。 有源区--受激辐射大于受激吸收后，激光二极管的PN结区成为光放大区。 粒子数反转（布居反转）-- N2N1的状态（半导体通常状态下总是N1N2）;光学谐振腔;二．PN型半导体激光器的工作原理;;;PN型半导体激光器的工作原理; 半导体激光器的发光原理; 半导体激光器的发光原理; 半导体激光器的发光原理; 半导体激光器的发光原理;三． 发射波长;四． 半导体激光器的结构与分类;;;; 量子（QW）激光器 与普通的双异质结激光器的结构基本相同，只是有源区的厚度很薄，通常DH激光器的有源区一般为1000~2000埃，而量子井激光器的源区仅几百埃，这样，窄带隙的有源区为导带中的电子和价带的空穴创造了一个势能井，使激光器阀值电流很低，输出功率相当高。;按平行于PN结方向的结构分类 按平行于PN结方向的结构的不同，半导体激光器可分为下面几类：;;4．1．3半导体激光器的性能;4．1．3半导体激光器的性能;;;;;;;;;二．模式性质; 模式性质; ;输出光谱与相位有关，也取决于激光物质的发光光谱：;;;三．瞬态性质;;; I(注入电流） t （ a） n（电子密度） nth t （b） s（光子密度） s 0 td t1 t2 t3 t（c） 激光器瞬态过程;a）0~ td ，有I，n↑，无S， 当t= td时 ， n= nth ，有光。 ↓当阶跃电流I（I 〉Ith）注入激光器时，有源区自由电子密度n↑