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一.传输功率 (1.78) 对TEM波，由(1.78)式并考虑式(1.35)的关系可得 利用矢量代数公式 同时，考虑传播波的阻抗为实数，式(1.79)变为 (1.35) (1.80) 一传输功率 (1.79) (1.81) (1.82) 对于TE波、TM波，作类似上面的推导可得 存在纵向场的TE波和TM波，由于它们的横向场可由纵向场表出，因此传输功率也可由纵向场来表示。TE波、TM波能够独立存在的导波系统主要是空心金属波导。在空心金属波导的边界条件下，传输功率有更简单的形式。它给计算带来很大的方便。 一传输功率 (1.85) (1.86) 一传输功率 二.导波的能量 单位长导波系统中传播波的电能和磁能可由能量密度时均值积分求得。 导波的能量具有下述重要特性：在无耗导波系统中，传播波的电能时均值与磁能时均值彼此相等，即 (1.87) (1.88) (1.97) 二导波的能量 详细的证明见课本。 三.导波的衰减 前面的分析都是假定导波系统没有损耗，即没有导体损耗(σ=∞)，没有介质损耗(μ、ε为实数)，所以导波在传播过程中幅度没有衰减，α=0，γ=jβ。这是理想化的情况。实际上，导体的导电率不可能是无限大(σ为有限值)，导体总存在欧姆损耗；介质对电磁波也总会有一定的损耗(μ、ε为复数)。这样，导波的幅度便会发生衰减(σ≠0)。 三导波的衰减 将此式对z求导得 计算导波衰减就在于计算导波传播常数中的衰减常数α值。求α的一种常用方法是根据导波在单位长导波系统中的损耗功率来计算。当导波系统有损耗时，正向波的振幅随z按 的规律变化，传输功率则按 的规律变化。设在处的传输功率为 ，则在处的传输功率为 因为传输功率沿z的减少率(变化率的负值)就等于导波系统单位长度上的损耗功率 。 (1.98) (1.99) (1.100) 三导波的衰减 于是可得 二者的关系是 由于衰减量(A)有两种单位：奈培(Np)和分贝(dB)。它们的定义是 (1.101) 三导波的衰减 (1.98) 因此，从式(1.98)不难看出α的单位是奈培/米(Np/m)。利用上面的关系可化为分贝/米(dB/m)。下面分别对导体和介质损耗所引起的衰减进行计算。 我们假定介质是无耗的，导波衰减仅由导体损耗造成。当导体有耗时，导电率为有限值，导体表面电场切向分量不再为零，磁场法向分量也不再为零，此时，导波场的一部分将进入到导体内部 根据坡印廷定理，损耗功率等于导波进入导体内的复功率的实部。即 (一)导体损耗引起的衰减(简称导体衰减 ) 设 为导体表面的外法向单位矢量 代表导体表面切向单位矢量 代表导体表面 (1.102) 三导波的衰减 式中 　为导体表面阻抗 。 (1.103) 三导波的衰减 　这里将进入导体壁内的波近似为均匀平面波，故波阻抗就等于导体表面阻抗。利用矢量代数公式 可将式(1.103)化为 (1.104) 由此式可得单位长度导体上的损耗功率 导波系统的传输功率为 为表面电阻。式中线积分是环绕导体周界l进行的。 式中S为导波系统的横截面，于是由式(1.101)可得导体衰减常数 。 (1.105) 三导波的衰减 (1.101) 还需指出，该式中的 和 均应是在导体有耗情况下导波系统中的真实值。严格求解它们必须重新解有耗导体边界下的麦克斯韦方程，但这样做是十分困难和麻烦的。通常采用近似计算，即用理想情况下导波场来代替上述真实场。这种方法称为微扰法。由于通常选作导波系统的金属导体均属良导体，导电率虽然不是无限大，但也是很大的，因此这样计算 是足够准确的。 (1.106) 三导波的衰减 导体表面切向分量 横向分量 应该指出，实际导波系统的衰减还与导波场进入导体的表面光洁程度有关，当表面不平度超过趋肤深度时，将使表面面积加大，从而衰减比理论计算值高。因此，对不同波段的导波系统要求一定的表面光洁度，以保证不平度小于趋肤深度。同时，还应保持表面的清洁，表面氧化、油污等均会使衰减增大。 为趋肤深度。 三导波的衰减 (二)介质损耗引起的衰减(简称介质衰减) 与计算导体衰减时假定介质无耗一样，此时我们假定导体是理想的，导波的衰减仅由介质损耗造成。在这种情况下，因此导体边界仍是理想的，所以介质有耗并不影响无耗场解的形式，只是将无耗解的介质常数由实数换成复数。考虑到导波系统中的介质一般是电介质，因此只有介电常数为复数，即 式中ε’与介质无耗时的ε相同，ε’’代表介质原子结构中的阻尼效应；σ是介质的导电率； 为介质的等效导电率； 为介质的损耗角正切。 (1.110) 三导波的衰减 1.根据传播常数方程 可得