Array工艺原理及工程检查-曝光.pptVIP

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2017-08-14 发布于湖北
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Array工艺原理及工程检查-曝光.ppt

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Array工艺原理及工程检查-曝光

* Ⅰ.曝光工程工艺 Ⅰ-1. 4Mask工艺简介 Ⅰ-2. 光刻工艺原理及流程 Ⅰ-3. 曝光工艺原理 Ⅰ-4. 曝光作业流程 Ⅰ-5. GTM工艺简介 Ⅰ-6. 曝光机装置结构 Ⅱ. 相关检查工程 ??-1. AFM检查 ??-2. MMM检查 ??-3. SEN检查 ??-4. AOI检查 Ⅲ. 曝光工程不良及对策 Ⅲ-1. SD-short / K-mura Ⅲ-2.图形偏移 Ⅲ-3. 共通缺陷目录 * Ⅰ.曝光工程工艺 Al/Mo电极 G-MASK G-WE 素基板 Al/Mo电极 SiNx保护层低速a-Si 高速a-Si n＋a-Si Cr电极（D.S） DI-MASK D1-WE I/PR-DE D2-WE CH-DE PA-CVD SiNx膜 C-MASK C-DE ITO Source Drain PI-MASK 4Mask工艺简介完成TFT制作 * 光刻工艺原理及流程 Ⅰ.曝光工程工艺 * 曝光工艺原理 Ⅰ.曝光工程工艺 * 曝光Pattern转写 Mask Pattern 曝光时Pattern反转 Plate Pattern Ⅰ.曝光工程工艺 * 曝光作业流程右图：OPT-3模式的曝光工艺流程 Lot开始 Mask对位基板进入曝光基板送出 Lot终了基板预对位基板本对位 ADC计测下一个Shot 下一片基板 G层曝光以后 Ⅰ.曝光工程工艺 * GTM工艺简介 Cr电极（D.S））） DI－Mask 光刻胶未充分曝光（半曝光） Ⅰ.曝光工程工艺 * 5 Mask工艺和4 Mask工艺的比较 Ⅰ.曝光工程工艺 * 曝光装置结构 Ⅰ.曝光工程工艺 * AFM检查 CH残厚 Ⅱ. 相关检查工程 AFM扫描轨迹光刻胶残膜 * Ⅱ. 相关检查工程宏观MURA 微观像素观察配列、预对位精度重合精度 Pattern变换对位Mark Sheet ID、Panel ID MMM检查 * Ⅱ. 相关检查工程 Pattern尺寸重合精度 SEN检查 * Ⅱ. 相关检查工程共通缺陷 PR起因基板划伤 AOI检查 * ???. 曝光工程不良及对策 SD-short K-mura 对策：DI工程曝光量调整 * ???. 曝光工程不良及对策图形偏移对策：对应工程曝光位置补正 * ???. 曝光工程不良及对策共通缺陷对策：Mask清扫 * Thanks