基于交换作用的纳磁逻辑电路片上时钟结构研究-物理学报.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 22 (2014) 227503 基于交换作用的纳磁逻辑电路片上时钟结构研究 张明亮 蔡理 杨晓阔 秦涛 刘小强 冯朝文 王森 (空军工程大学理学院, 西安 710051) ( 2014 年6 月14 日收到; 2014 年7 月9 日收到修改稿) 纳磁逻辑电路具有低功耗、非易失和可常温下制备等优点, 实现低功耗片上时钟是其集成化的必备条件. 本文提出了一种基于交换作用的纳磁逻辑电路片上时钟结构, 用载流铜导线产生的奥斯特场将铁磁体薄膜覆 层进行磁化, 然后依靠铁磁体层与纳磁体界面存在的交换作用场使后者磁化方向发生翻转. 与轭式铁磁体时 钟用外磁场控制纳磁体磁化方向相比, 该方案在功耗方面降低了5/6, 时钟边界杂散场强度降低了2/3, 达到 降低功耗、减轻串扰的目的. 此外, 采用微磁仿真进一步验证了该时钟结构上的纳磁体逻辑阵列可以实现逻辑 功能. 关键词: 纳磁逻辑, 片上时钟, 交换作用 PACS: 75.75.–c, 75.78.Cd, 71.70.Gm, 74.20.Mn. DOI: 10.7498/aps.63.227503 的环形奥斯特场聚焦到纳磁体上以翻转后者的磁 1 引 言 化方向1618 ; 二是张力诱导时钟方案, 即对磁致 伸缩层-压电层双层耦合纳磁体施以电压, 压电层 磁性纳米颗粒及其点阵的磁电特性一直是近 发生形变带动磁致伸缩层形变, 后者磁化发生翻 年来的研究热点14 , 由其构成的磁阻随机存储器 转1920 ; 三是利用自旋霍尔效应产生的矫顽力翻 (MRAM)和纳磁体逻辑器件具有非易失性存储、高 转纳磁体磁化方向2122 . 比较而言, 第一种方案容 密度集成的优点56 , 在尺寸按比例缩小的摩尔定 易和CMOS 电路进行集成, 但是该方案对磁场的 7 律遇到瓶颈时具有巨大的应用潜力 . 其中, 纳磁 局域化效率低, 功耗较高. 尤其是当时钟尺寸减小 逻辑电路利用拉长纳磁体具有强的形状各向异性 时, 时钟边界处的杂散磁场会对相邻区域的磁化有 的特征, 用后者的双稳态磁化方向表示二值逻辑. 影响, 形成串扰. 本文受该时钟方案启发, 提出了 相邻纳磁体之间通过偶极耦合互相作用, 以元胞自 基于交换作用的片上时钟结构, 并对其能量效率和 动机的形式进行计算, 因此其也被称为磁性量子元 对纳磁体阵列逻辑功能的影响进行了研究. 胞自动机(MQCA)6810 . 目前, 由纳磁体构成的 线、反相器、择多逻辑门等逻辑器件已在常温下成 2 片上时钟结构与工作原理 功制备1115 . 据估算, 个纳磁体每秒钟翻转 次仅耗能约0.1 W, 极小功耗使纳磁逻辑相比 图 给出了本文设计的时钟结构. 左右两个时 6 传统晶体管电路具有很大的优势 . 但是由于纳磁 钟区域由SiO 层隔开以避免两者之间的串扰; 每 体的磁化翻转依靠时钟来提供能量, 实现低功耗的 个时钟线由铜线和铺设其上方的铁磁体薄膜覆层 片上时钟成为纳磁逻辑电路实用化的关键环节. 构成; 将纳磁体阵列制备在铁磁体薄膜层上方. 该 目前已报道了三种时钟方案: 一是将裹有轭 结构与上述轭式时钟虽然只是将SiO 层和铁磁体 式铁磁体覆层的载流铜导线铺设到纳磁体下方,