4 平衡半导体.pptVIP

本次课内容 第4章 平衡半导体 4．1半导体中的载流子 4．2掺杂原子与能级 4．3非本征半导体 4．4施主和受主的统计学分布 4．5电中性状态 4．6费米能级的位置 4．7小结 基本概念 平衡状态： 没有外界影响(如电压、电场、磁场或温度梯度)作用在半导体上的状态。 本征半导体： 没有杂质原子和缺陷的纯净晶体。 载流子： 能够参与导电，荷载电流的粒子。电子、空穴。 本征半导体中究竟有多少电子和空穴？ 4.1半导体中载流子 4.1.1电子空穴的平衡分布 导带电子浓度与价带空穴浓度 要计算半导体中的导带电子浓度，必须先要知道导带中能量间隔内有多少个量子态。 又因为这些量子态上并不是全部被电子占据，因此还要知道能量为E的量子态被电子占据的几率是多少。 将两者相乘后除以体积就得到区间的电子浓度，然后再由导带底至导带顶积分就得到了导带的电子浓度。 4.1半导体中载流子　电子空穴的平衡分布 假设电子空穴有效质量相等，则EF位于禁带中线 4.1半导体中载流子 4.1.2 n0 p0的方程 热平衡时的电子浓度n0 4.1半导体中载流子 4.1.2 n0 p0的方程 4.1半导体中载流子 4.1.2 n0 p0的方程 4.1半导体中载流子 4.1.2 n0 p0的方程 平衡态半导体导带电子浓度n0和价带空穴浓度p0与温度和费米能级EF的位置有关。其中温度的影响不仅反映在Nc和Nv均正比于T3/2上，影响更大的是指数项； 4.1半导体中载流子 4.1.3本征载流子浓度 4.1半导体中载流子 4.1.3本征载流子浓度 任何平衡态半导体载流子浓度积n0p0 等于本征载流子浓度ni的平方； 对确定的半导体料，受式中Nc和Nv、尤其是指数项exp(-Eg/kT)的影响，本征载流子浓度ni随温度的升高显著上升。 平衡态半导体n0p0积与EF无关； 对确定半导体，mn*、mp*和Eg确定，n0p0积只与温度有关，与是否掺杂及杂质多少无关； 一定温度下，材料不同则 mn*、mp*和Eg各不相同，其n0p0积也不相同。 温度一定时，对确定的非简并半导体n0p0积恒定； 4.1半导体中载流子 4.1.3本征载流子浓度 公认值会与上式计算得到的ni值有一定误差： 有效质量为低温下进行的回旋共振实验测定值，此参数可能与温度有关； 状态密度函数由理论推导得到，有可能与实验结果不十分吻合。 4.1半导体中载流子 4.1.3本征载流子浓度 与温度关系很大： 温升１５０度时，浓度增大４个数量级。 4.1半导体中载流子 4.1.4本征费米能级位置 4.2掺杂原子与能级 4.2.1定性描述 间隙式杂质，替位式杂质 杂质进入半导体后可以存在于晶格原子之间的间隙位置上，称为间隙式杂质，间隙式杂质原子一般较小。 也可以取代晶格原子而位于格点上，称为替（代）位式杂质，替位式杂质通常与被取代的晶格原子大小比较接近而且电子壳层结构也相似。 4.2掺杂原子与能级 施主杂质 掺入５价的磷原子 4.2掺杂原子与能级 施主杂质 4.2掺杂原子与能级 施主杂质 由于以磷为代表的Ⅴ族元素在Si中能够施放导电电子，称V族元素为施主杂质或n型杂质，用Nd表示。 电子脱离施主杂质的束缚成为导电电子的过程称为施主电离，所需要的能量ΔED称为施主杂质电离能。ΔED的大小与半导体材料和杂质种类有关，但远小于Si和Ge的禁带宽度。 施主杂质未电离时是中性的，称为束缚态或中性态，电离后称为施主离化态。 Si中掺入施主杂质后，通过杂质电离增加了导电电子数量从而增强了半导体的导电能力。 把主要依靠电子导电的半导体称为n型半导体。n型半导体中电子称为多数载流子，简称多子；而空穴称为少数载流子，简称少子。 4.2掺杂原子与能级 受主杂质 掺入３价的硼原子 4.2掺杂原子与能级 受主杂质 4.2掺杂原子与能级 受主杂质 由于以硼原子为代表的Ⅲ族元素在Si、Ge中能够接受电子而产生导电空穴，称Ⅲ族元素为受主杂质或p型杂质，用Na表示。 空穴挣脱受主杂质束缚的过程称为受主电离，而所需要的能量ΔEA称为受主杂质电离能。 不同半导体和不同受主杂质其ΔEA也不相同，但ΔEA通常远小于Si和Ge禁带宽度。 受主杂质未电离时是中性的，称为束缚态或中性态，电离后成为负电中心，称为受主离化态。 Si中掺入受主杂质后，受主电离增加了导电空穴，增强了半导体导电能力，把主要依靠空穴导电的半导体称作p型半导体。p型半导体中空穴是多子，电子是少子。 4.2掺杂原子与能级　电离能 常见杂质的电离能 4.2掺杂原子与能级　III-V族半导体 GaAs的杂质电离能 双性杂质的概念＿硅替代镓做施主，替代砷做受主． 4.2掺杂原子与能级 施