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刘骐萱王永平刘文军丁士进
基于Ni电极和ZrO /SiO /ZrO 介质的MIM电容的导电机理研究
刘骐萱 王永平 刘文军 丁士进
ConductionmechanismsofMIMcapacitorswithZrO /SiO /ZrO stackeddielectricsandNielectrodes
LiuQi-Xuan WangYong-Ping LiuWen-Jun DingShi-Jin
引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,087301(2017) DOI: 10.7498/aps.66.087301
在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.66.087301
当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2017/V66/I8
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物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 66, No. 8 (2017) 087301
基于Ni 电极和ZrO /SiO /ZrO 介质的MIM
电容的导电机理研究
刘骐萱 王永平 刘文军 丁士进
(复旦大学微电子学院, 专用集成电路与系统国家重点实验室, 上海 200433)
( 2016 年11 月13 日收到; 2017 年1 月16 日收到修改稿)
研究了基于Ni 电极和原子层淀积的ZrO /SiO /ZrO 对称叠层介质金属-绝缘体-金属(MIM) 电容的电
学性能. 当叠层介质的厚度固定在14 nm 时, 随着SiO 层厚度从0 增加到2 nm, 所得电容密度从13.1 fF/m
逐渐减小到9.3 fF/m , 耗散因子从0.025 逐渐减小到0.02. 比较MIM 电容的电流- 电压(- ) 曲线, 发现在
高压下电流密度随着SiO 厚度的增加而减小, 在低压下电流密度的变化不明显, 还观察到电容在正、负偏压
下表现出完全不同的导电特性, 在正偏压下表现出不同的高、低场
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