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第三章 量子输运导论 第一节 微观器件特性介绍 （1）上述器件是纳米器件。 纳米器件的最基本单元：三极管，也叫场效应管（Field-effect transistor ） S：source ⎧ ⎪ ⎪D:drain 场效应管的组成：⎨ V C G:gate,其中 是门电压，它可以改变 中电子的浓度。 ⎪ g ⎪⎩C:channel 场效应管的实质：一个可控电阻。 加门电压可以调控电流的原因： 前面已讲过J en v ，所以门电压控制电子浓度就可以控制电流。 s d 加上门电压以后，相当于加上一个势场，整个带往下移，如下图所示： （2）特征I-V 曲线 我们知道对于不变电阻 I-V 关系符合欧姆定律，那么这种复杂的器件的径向电流与所加电 压 Vd 具有什么样的关系呢? 实验图像如下： V 即偏压。 d ⎧ dV 当V 小时，R= , 符合欧姆定律 ⎪ d dI ⎪⎪当V 大时，R 非线性 对图像的分析：⎨ d ⎪当V 很大时，出现饱和电流。 ⎪ d ⎪I和V 有关，V 越大，电子浓度越高，则电流越大。 ⎩ g g 电流与门电压的关系： 实验图像如下： ⎧当V V ,电流几乎为零。 ⎪ g c 对图像的分析：⎨ ⎪当V V ,电流增大很快，并迅速达到一个饱和值。 ⎩ g c （3）输运特征尺寸 （A ）:器件本身大小： μm ⎧10 ⎪ ⎪⎪ 扩散输运：电子在行进过程中不停地受到散射。（也遵守欧姆定律） ⎨1μm ⎪ 0.1nm 弹道输运：电子直线前进，要求材料尺寸很小。（电子行进时间在动量驰豫时间内） ⎪ ⎪ 10nm 量子输运：电子的干涉效应明显，要考虑电子的干涉效应。 ⎩ （B ）:Top—down approach 2 宏观的σ在微观下难以定义,前面讲过σ enμ q nτ / m （q=e ） n为自由电子浓度： ⎧ ⎪ ⎨τ为动量驰豫时间： ⎪ m为电子有效质量：在大块材料中无周期势，所以没有能带。 ⎩ （4 ）基本量子输运过程： 现在我们从微观到宏观的理解方法来研究量子输运， 在微观层面上： ⎧q2 1 q2 ⎪ 为常数，数值为 ， 即为量子电导（电导单位） 2 ⎪h 25kΩ h q ⎪